[发明专利]一种具有宽电压输入范围的差分电压检测电路有效

专利信息
申请号: 202110627800.6 申请日: 2021-06-05
公开(公告)号: CN113341212B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 刘祖韬 申请(专利权)人: 晶通微电子(南京)有限公司
主分类号: G01R19/25 分类号: G01R19/25
代理公司: 上海千寻知识产权代理事务所(普通合伙) 31353 代理人: 吴小丽;吴红斐
地址: 211800 江苏省南京市江北新区研创*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 电压 输入 范围 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种具有宽电压输入范围的差分电压检测电路,其特征在于,包括:

P型输入级模块,用于接受电压差分输入信号,并将所述电压差分输入信号转换成单端输出电流;

P型偏置模块,与所述P型输入级模块连接,用于为所述P型输入级模块内的晶体管提供偏置电压及电压钳位保护;

N型偏置模块,与所述P型偏置模块和所述P型输入级模块连接,用于为所述P型偏置模块提供电流偏置,并为所述P型输入级模块提供偏置参考电流;

N型输出级模块,与所述P型输入级模块和所述N型偏置模块连接,所述N型偏置模块为所述N型输出级模块提供偏置电压或偏置电流,所述N型输出级模块根据所述P型输入级模块的单端输出电流和所述偏置参考电流的差值,输出表征所述差分输入信号的相对电压水平的信号。

2.如权利要求1所述的具有宽电压输入范围的差分电压检测电路,其特征在于,所述P型输入级模块包括第一P型晶体管和第二P型晶体管,第一P型晶体管的栅极和第二P型晶体管的栅极、第一P型晶体管的漏极相连,第一P型晶体管的源极与第三P型晶体管的源极连接,第一P型晶体管的漏极连接所述N型偏置模块;

第二P型晶体管的源极与第四P型晶体管的源极连接,第二P型晶体管的漏极与第五P型晶体管的源极连接;第三P型晶体管的栅极、第四P型晶体管的栅极、第五P型晶体管的栅极均连接所述P型偏置模块;

第三P型晶体管的漏极与第一电压输入信号相连,第四P型晶体管的漏极与第二电压输入信号相连,第一电压输入信号与第二电压输入信号构成差分输入信号。

3.如权利要求2所述的具有宽电压输入范围的差分电压检测电路,其特征在于,所述第一P型晶体管和第二P型晶体管构成一个差分对,所述第一P型晶体管和第二P型晶体管处于同一个N型阱区,所述第一P型晶体管和第二P型晶体管共用一个背栅。

4.如权利要求2所述的具有宽电压输入范围的差分电压检测电路,其特征在于,所述P型偏置模块包括由第六P型晶体管、第七P型晶体管、第八P型晶体管构成的自动选高电平电路;

第六P型晶体管、第七P型晶体管、第八P型晶体管的源极均短接在一个节点;第六P型晶体管、第七P型晶体管、第八P型晶体管的栅极均短接在一个节点;第六P型晶体管、第七P型晶体管、第八P型晶体管的背栅均短接在一个节点,并连接至第一P型晶体管、第二P型晶体管的背栅;

第六P型晶体管的漏极连接第一电压输入信号,第七P型晶体管的漏极连接第二电压输入信号,第八P型晶体管的栅极、漏极短接;

第九P型晶体管、第十P型晶体管、第十一P型晶体管都是自身的栅极和漏极短接;第九P型晶体管的源极、第十P型晶体管的源极、第十一P型晶体管的源极、第十二P型晶体管的源极均连接第六P型晶体管的源极;

第九P型晶体管的漏极连接第二P型晶体管的源极和第五P型晶体管的漏极;第十P型晶体管的漏极连接第一P型晶体管的源极和第三P型晶体管的源极;第十一P型晶体管的漏极连接第二P型晶体管和第四P型晶体管的源极;

第十二P型晶体管的栅极、漏极短接,第十二P型晶体管的漏极连接所述N型偏置模块,第十二P型晶体管的漏极还连接所述第三P型晶体管的栅极和第四P型晶体管的栅极。

5.如权利要求4所述的具有宽电压输入范围的差分电压检测电路,其特征在于,所述第三P型晶体管的漏极电压vds最低耐压大于所述第一电压输入信号的最高压,所述第四P型晶体管的漏极电压vds最低耐压大于所述第二电压输入信号的最高压;

所述第六P型晶体管的漏极电压vds最低耐压大于所述第一电压输入信号的最高压,所述第七P型晶体管的漏极电压vds最低耐压大于所述第二电压输入信号的最高压。

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