[发明专利]一种自感式电感位移传感器激励电路

权利要求书

1.一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于，所述自感式电感位移传感器激励电路包括：

用以产生频率和相位可变正弦波的正弦信号产生部分；

用以产生偏置电压的偏置电压生成部分；

将所述正弦信号产生部分和偏置电压生成部分作差放大的减法、放大电路。

2.根据权利要求1所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述正弦信号产生部分包括DDS频率合成单元U2,晶振U1,主控芯片U3，电容C1、C2、C3、C4、C5、C9；所述频率合成单元U2的1引脚与所述电容C5一端相连,所述电容C5另一端与所述频率合成单元U2的2引脚相连；所述频率合成单元U2的2引脚与+5V电源相连；所述频率合成单元U2的3引脚与所述电容C2和C3并联的一端相连，所述电容C2和C3并联的另一端与GND相连；所述频率合成单元U2的4引脚与GND相连；所述频率合成单元U2的5引脚与所述晶振的3引脚相连；所述频率合成单元U2的6、7、8引脚分别与所述主控芯片DSP28377d的GPIO50、51、52相连；所述频率合成单元U2的9引脚与所述电容C9的一端相连，所述电容C9的另一端与所述频率合成单元U2的10引脚相连，所述频率合成单元U2的10引脚为输出；所述晶振U1的1引脚悬空，所述晶振U1的2引脚与GND相连，所述晶振U1的3引脚与所述DDS频率合成单元U2的5引脚相连，所述晶振U1的4引脚与所述电容C1的一端相连，所述电容C1的另一端与GND相连。

3.根据权利要求1所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述偏置电压生成部分包括电阻R2、R3与电容C6；所述电阻R3一端与+1.9V相连，所述电阻R3另一端与所述电阻R2一端相连，所述电阻R2另一端与地相连，所述电容C6与电阻R2并联。

4.根据权利要求1所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述减法、放大电路包括运算放大器U4A、U4B，电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，电容C7、C8；所述运算放大器U4A的反向输入端与所述电阻R4一端相连，所述电阻R4另一端与所述电阻R2与所述电阻R3连接点相连，所述运算放大器U4A的同相输入端与所述电阻R5一端相连，所述电阻R5另一端与所述芯片U2的10引脚相连，所述运算放大器U4A的输出端与所述电阻R6一端相连，所述电阻R6另一端与所述运算放大器U4A的反相输入端相连；所述运算放大器U4B的反向输入端与所述电阻R8一端相连，所述电阻R8另一端与GND相连，所述运算放大器U4A的同相输入端与所述电阻R7一端相连，所述电阻R7另一端与所述运算放大器U4A的输出端相连，所述运算放大器U4B的输出端与所述电阻R9一端相连，所述电阻R9另一端与所述运算放大器U4B的反相输入端相连，所述运算放大器U4A、U4B的负电源与-15V相连，所述运算放大器U4A、U4B负电源与所述电容C7一端相连，所述电容C7另一端与GND相连，所述运算放大器U4A、U4B的正电源与+15V相连，所述运算放大器U4A、U4B正电源与所述电容C8一端相连，所述电容C8另一端与GND相连。

5.根据权利要求2所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述晶振型号为XTAL-3225,DDS频率合成单元为AD9833,主控芯片型号为DSP28377d，所述电容C1为100nF，所述电容C2为10nF，所述电容C3为100nF，所述电容C4为100nF，所述电容C5为10nF，所述电容C9为20pF。

6.根据权利要求3所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述电阻R2为120Ω，所述电阻R3为620Ω，所述电容C6为100nF。

7.根据权利要求4所述的一种自感式电感位移传感器激励电路，其特征在于：所述运算放大器U4A、U4B型号为TL084，所述电阻R4为10K,所述电阻R5为10K，所述电阻R6为10K，所述电阻R7为10K，所述电阻R8为10K，所述电阻R9为80K，所述电容C7为100nF，所述电容C8为100nF。