[发明专利]形成鳍式场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

在第一半导体鳍和第二半导体鳍上形成第一栅极堆叠件；

蚀刻所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的第一部分以分别形成第一凹进和第二凹进；和

进行第一外延工艺以形成n型源/漏极区，其中所述n型源/漏极区包含由所述第一凹进生长的第一部分和由所述第二凹进生长的第二部分以及连接到所述第一部分和所述第二部分的第一中间部分，其中所述第一中间部分具有凹面顶面；以及

形成p型FinFET包括：

在第三半导体鳍和第四半导体鳍上形成第二栅极堆叠件；

蚀刻所述第三半导体鳍和所述第四半导体鳍的第二部分以分别形成第三凹进和第四凹进；和

进行第二外延工艺以形成p型源/漏极区，其中所述源/漏极区包含由所述第三凹进生长的第三部分和由所述第四凹进生长的第四部分以及连接到所述第三部分和所述第四部分的第二中间部分，其中所述第二中间部分具有凸面顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述n型源/漏极区上形成第一源/漏极硅化物区；

在所述p型源/漏极区上形成第二源/漏极硅化物区；其中所述第一源/漏极硅化物区和所述第二源/漏极硅化物区分别具有第一指向下的V形和第二指向下的V形。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一指向下的V形比所述第二指向下的V形具有更大的高度。

4.根据权利要求1中的方法，其中，所述p型源/漏极区包括第一层、位于所述第一层上方的第二层和位于所述第二层上方的第三层，并且其中，所述第一层侧向延展以形成小平面。

5.根据权利要求4中的方法，其中，所述n型源/漏极区包括第四层、位于所述第四层上方的第五层和位于所述第五层上方的第六层，其中，由所述第一凹进和所述第二凹进生长的所述第四层的部分被限制于所述第一凹进和所述第二凹进中。

6.根据权利要求4的方法，其中，所述p型源/漏极区包含硼化硅锗，并且所述第三层比所述第二层具有更低的锗原子百分比，并且其中所述方法进一步包含蚀刻穿透所述第三层以暴露所述第二层，并且暴露的所述第二外延层具有额外的凹面顶面。

7.根据权利要求1的方法，其中，所述p型源/漏极区包括p型覆盖层作为所述第二中间部分的顶部，并且其中所述p型覆盖层包括凸形面顶面和凹面底面。

8.根据权利要求1的方法，其中，采用远场等离子体化学气相沉积进行所述第一外延工艺和所述第二外延工艺。

9.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：

形成n型源/漏极区，包括：

沉积第一外延层，其中所述第一外延层包括在第一半导体鳍中的第一凹进中生长的第一部分、在第二半导体鳍中的第二凹进中生长的第二部分以及将所述第一部分连接到所述第二部分的第一中间部分；和

在所述第一外延层上方沉积第一覆盖层，其中所述第一覆盖层包括直接位于所述第一中间部分上方的第二中间部分，并且所述第二中间部分具有凹面顶面；以及

形成p型FinFET，包括

形成p型源/漏极区，包括：

沉积第二外延层，所述第二外延层包括在第三半导体鳍中的第三凹进中生长的第三部分、在第四半导体鳍中的第四凹进中生长的第四部分以及将所述第三部分连接到所述第四部分的第三中间部分；

在所述第二外延层上方沉积第二覆盖层，其中所述第二覆盖层包括直接位于所述第三中间部分上方的第四中间部分，并且所述第四中间部分具有凸面顶面。

10.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍以分别形成第一凹进和第二凹进；

外延生长n型源/漏极区，所述n型源/漏极区包括：

由所述第一凹生长第一部分；

由所述第二凹进生长的第二部分；以及和

位于所述第一部分和所述第二部分之间的第一中间部分，其中所述第一中间部分具有凹面顶面；

形成延伸进所述n型源/漏极区的第一接触开口，其中所述第一接触开口包括第一V形底；

蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍以分别形成第三凹进和第四凹进；

形成p型源/漏极区，所述p型源/漏极区包括：

由所述第三凹进生长的第三部分；

由所述第四凹进生长的第四部分；和

位于所述第三部分和所述第四部分之间的第二中间部分，其中所述第二中间部分具有凸面顶面；以及

形成延伸进所述p型源/漏极区的第二接触开口，其中蚀刻具有所述凸面顶面的所述第二中间部分，所述第二接触开口包括第二V形底，所述第二V形底的尖端指向下。