[发明专利]一种磁阻式电磁发射器能量回收电路

说明书

本发明公开了一种磁阻式电磁发射器能量回收电路，包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、线圈L1、线圈L2、线圈L3、线圈L4、IGBT管V1、IGBT管V2、IGBT管V3和IGBT管V4，属于磁阻式电磁发射器技术领域，所述二极管D1的阳极连接二极管D2的阳极、二极管D3的阳极和二极管D4的阳极，二极管D1的阴极连接电容C1、线圈L1和二极管D8的阴极，线圈L1的另一端连接二极管D5的阳极和IGBT管V1的漏极，本发明通过回收线圈电感储能增加电容储能，并且减少了反拉现象，从而提高了效率。

技术领域

本发明涉及磁阻式电磁发射器技术领域，具体是一种磁阻式电磁发射器能量回收电路。

背景技术

磁阻型电磁弹射技术是一种新兴的直线推进技术，其磁阻电磁发射器是由一个驱动线圈和一个铁磁性弹丸以及附属部件构成，在螺线管通电时，螺线管的内外就有了磁感应线分布，其磁势分布为外低内高，管外的弹体(铁磁芯)被拉向中心，是利用驱动线圈与铁磁性弹丸组成的磁路的磁阻变化来吸引弹丸加速运动。

然而，目前市场上的磁阻式电磁发射器反拉效果显著，也无能量回收功能，发射效率 (出口动能/电容总储能)一般都在10％以下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁阻式电磁发射器能量回收电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种磁阻式电磁发射器能量回收电路，包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管 D11、二极管D12、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、线圈L1、线圈L2、线圈L3、线圈L4、IGBT管V1、IGBT管V2、IGBT管V3和IGBT管V4，其特征在于，所述二极管D1的阳极连接二极管D2的阳极、二极管D3的阳极和二极管D4的阳极，二极管D1 的阴极连接电容C1、线圈L1和二极管D8的阴极，线圈L1的另一端连接二极管D5的阳极和IGBT管V1的漏极，二极管D2的阴极连接电容C2、线圈L2和二极管D10的阴极，线圈 L2的另一端连接二极管D6的阳极和IGBT管V2的漏极，二极管D3的阴极连接电容C3、二极管D5的阴极、线圈L3和二极管D11的阴极，线圈L3的另一端连接二极管D7的阳极和IGBT管V3的漏极，二极管D4的阴极连接电容C4、二极管D6的阴极、二极管D7的阴极、电阻R1、电容C5、线圈L4和二极管D12的阴极，线圈L4的另一端连接二极管D8的阳极和IGBT管V4的漏极，二极管D8的阴极连接电容C5的另一端和电阻R1的另一端，电容C1的另一端连接电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端、二极管D9 的阳极、二极管D10的阳极、二极管D11的阳极、二极管D12的阳极、IGBT管V1的源极、 IGBT管V2的源极、IGBT管V3的源极、IGBT管V4的源极和接地端。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均为充电隔离二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8均为续流二极管。

作为本发明的进一步技术方案，所述二极管D9、二极管D10、二极管D11和二极管D12 均为防反冲二极管。

作为本发明的进一步技术方案，电路结构可以随着线圈级数增加而扩展。