[发明专利]接近式曝光用光掩模

权利要求书

1.一种光掩模，其是用于形成黑色矩阵的接近式曝光用光掩模，其特征在于，

所述光掩模包含仅形成有由遮光膜的图案构成的遮光部和由半透过膜的图案构成的半透过部中的任一者的图案形成区域，并且

在所述图案形成区域的所述遮光部与所述半透过部的边界部具备不会因曝光光而析像的大小的第一辅助图案及第二辅助图案，

所述遮光膜的图案是规定在曝光后线宽不同的至少两种空间图案的图案形状，

所述两种辅助图案均是一定线宽的图案形状，使得与不具备所述辅助图案的情况相比在曝光后相对提高所述边界部的曝光时的曝光强度的均匀性，并且

所述第一辅助图案形成在第一线宽的空间图案的端部，

所述第二辅助图案形成在比所述第一线宽粗的第二线宽的空间图案的端部，

所述第二辅助图案与所述第一辅助图案相比线宽更粗。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案的透射率相等。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案的透射率为30％～50％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案的线宽为1.0μm～6.0μm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案的相位差为5°以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案由铬的氧化物构成。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的光掩模，其特征在于，所述第一辅助图案及第二辅助图案至少在g射线、h射线及i射线间曝光波长对透射率的依赖性小。