[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

薄膜晶体管(TFT)，设置在所述衬底上；以及

存储单元，设置在所述衬底上并且与所述薄膜晶体管重叠，

其中，所述薄膜晶体管被配置为选择性地向所述存储单元供电。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述薄膜晶体管设置在所述衬底和所述存储单元之间。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述存储单元包括：

顶部电极；

底部电极，与所述薄膜晶体管的漏电极接触；以及

数据存储层，设置在所述顶部电极与所述底部电极之间。

4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述薄膜晶体管包括：

栅电极；

沟道层，设置在所述栅电极上方；

高k介电层，设置在所述栅电极与所述沟道层之间；以及

源电极和漏电极，设置在所述沟道层上方且位于所述栅电极的任一侧上。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储单元不与形成在所述衬底中的控制元件电连接。

6.一种存储器件，包括：

衬底；

字线，设置在所述衬底上；

选择器层，设置在所述衬底上并且包括与所述字线重叠的沟道区；以及

存储单元，与所述选择器层重叠并且电连接到所述选择器层，其中，所述存储单元设置在第一平面中，所述第一平面与平行于所述衬底的顶表面的平面平行。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述选择器层包括：

高k介电层；以及

沟道层，设置在所述高k介电层上方并且包括所述沟道区。

8.根据权利要求7所述的存储器件，还包括：源电极和漏电极，交替设置在所述沟道层上，其中：

所述字线设置在所述高k介电层下方并且与所述沟道区重叠；

每个沟道区均设置在相应的一对源电极和漏电极之间；以及

每个存储单元均电连接至相应的漏电极。

9.一种形成存储器件的方法，包括：

在衬底上沉积和图案化字线；

在所述字线上方沉积选择器层；

在所述选择器层上交替地形成源电极和漏电极；

在所述漏电极上形成存储单元；以及

在所述存储单元上形成位线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述字线上沉积所述选择器层包括：

在所述字线上方沉积高k介电层；以及

在所述高k层上沉积沟道层，所述沟道层包括与所述字线重叠的沟道区。