[发明专利]一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管及其制备方法

权利要求书

1.一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管制备方法，其特征在于，包括，

采用砷掺杂的N型轻掺杂单晶硅作为器件的衬底；

采用离子注入工艺，在N型衬底上的对应区域分别形成采用硼掺杂的P型重掺杂的源区（2）、采用砷掺杂的N型重掺杂的漏区（3）、以及砷掺杂的N型轻掺杂的体区（4）；

在器件上、下表面淀积介质层，再采用刻蚀工艺在器件的源区上、下表面和相邻的源区pocket区域的上、下表面形成源区介质层（5）；

利用热氧化工艺，在器件漏区（3）上、下表面和体区（4）上、下表面对应的位置形成SiO₂氧化层；

利用刻蚀工艺，将漏区（3）上、下表面SiO₂氧化层的厚度减薄，形成漏区氧化层（7）；剩余SiO₂氧化层的厚度不变形成体区氧化层（8）；

利用淀积和刻蚀工艺，相邻体区氧化层（8）一侧淀积金属铝，作为金属栅，配合其下方的源区介质层（5），共同形成调制源区pocket区域的金属栅电极（9）；

利用淀积和刻蚀工艺，在体区氧化层（8）上表面淀积多晶硅，作为主栅，配合其下方的体区氧化层（8），共同形成器件的主栅多晶硅电极（10）；

利用淀积和刻蚀工艺，在漏区氧化层（7）的上、下表面，在靠近体区一侧，生成高功函数层金属钼（11）；

利用淀积和刻蚀工艺，在漏区氧化层（7）的上、下表面，在远离体区一侧，生成低功函数层金属铝（12）；

利用淀积和刻蚀工艺，在源区介质层（5）的上、下表面，生成高功函数层金属铂（13）；

利用淀积和刻蚀工艺，在源区与漏区的侧面生成铜金属电极，作为源极（1）和漏极（6），完成栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管的制备。

2.一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，其特征在于，由权利要求1所述方法制备得到，包括沿横向依次设置的源区（2）、体区（4）和漏区（3），在体区（4）内靠近源区（2）的界面区形成源区pocket区域（14）；

所述体区（4）上下表面分别设置体区氧化层（8），体区氧化层（8）上下表面分别设置有主栅多晶硅电极（10），作为栅极连接栅极电压V_GS；

所述源区（2）和源区pocket区域（14）的上下表面分别设置源区介质层（5），源区介质层（5）上下表面分别对应源区pocket区域（14）设置金属栅电极（9）；金属栅电极（9）连接栅极电压V_GS；

所述漏区（3）上下表面分别设置漏区氧化层（7）；

所述源区（2）与漏区（3）的侧面分别设置金属电极，作为源极（1）和漏极（6），对应连接源极电压V_S和漏极电压V_DS。

3.根据权利要求2所述的一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，其特征在于，所述源区介质层（5）上下表面分别设置有高功函数层金属铂（13），高功函数层金属铂（13）与金属栅电极（9）间隔设置；高功函数层金属铂（13）连接源极电压V_S。

4.根据权利要求2所述的一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，其特征在于，漏区氧化层（7）上下表面，靠近体区（4）一侧分别设置高功函数层金属钼（11），远离体区（4）一侧分别设置低功函数层金属铝（12）；高功函数层金属钼（11）与体区氧化层（8）间隔设置；高功函数层金属钼（11）和低功函数层金属铝（12）分别连接漏极电压V_DS。

5.根据权利要求2所述的一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，其特征在于，所述的体区（4）采用砷掺杂的N型轻掺杂单晶硅；所述的源区（2）采用硼掺杂的P型重掺杂；所述的漏区（3）采用砷掺杂的N型重掺杂。

6.根据权利要求2所述的一种栅压调制动态源区pocket隧穿场效应管，其特征在于，源区介质层（5）和漏区氧化层（7）的厚度相等；源区介质层（5）和金属栅电极（9）的厚度，与体区氧化层（8）和主栅多晶硅电极（10）的厚度相等。