[发明专利]尖峰时序相依可塑性的写入方法及突触数组装置

权利要求书

1.一种尖峰时序相依可塑性的写入方法，向使用了双极型的电阻变化型存储元件的纵横式数组进行所述尖峰时序相依可塑性的写入，其中，

由利用正电位的第一驱动器生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的第一电压信号，由利用正电位的第二驱动器生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的第二电压信号，由利用正电位的第三驱动器生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的第三电压信号，由利用正电位的第四驱动器生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的第四电压信号，

将所述第一电压信号与所述第二电压信号相加而得的第一驱动信号施加至所选择的电阻变化型存储元件的一个端子，将所述第三电压信号与所述第四电压信号相加而得的第二驱动信号施加至所述所选择的电阻变化型存储元件的另一个端子。

2.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述第一驱动信号为设定或重设时的写入电压，所述第二驱动信号为重设或设定时的写入电压。

3.根据权利要求1所述的写入方法，其中

所述尖峰时序相依可塑性是由所述突触前神经元生成的所述尖峰信号与由所述突触后神经元生成的所述尖峰信号的差。

4.根据权利要求1或2所述的写入方法，其中

所述第一驱动信号及所述第二驱动信号为正的脉冲信号。

5.根据权利要求4所述的写入方法，其中

所述第一电压信号为正的矩形波脉冲信号，所述第二电压信号为正的三角波脉冲信号，所述第三电压信号为正的矩形波脉冲信号，所述第四电压信号为正的三角波脉冲信号。

6.一种突触数组装置，具有：纵横式数组，使用了双极型的电阻变化型存储元件；

选择单元，选择所述纵横式数组的电阻变化型存储元件；以及

写入单元，向所述电阻变化型存储元件进行写入，

所述写入单元包括与所述电阻变化型存储元件的一个端子连接的正电位的第一驱动器及第二驱动器、以及与另一个端子连接的正电位的第三驱动器及第四驱动器，

所述第一驱动器生成与由突触前神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的第一电压信号，所述第二驱动器生成与由突触后神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的第二电压信号，所述第三驱动器生成与由所述突触后神经元生成的尖峰信号的正部分相对应的第三电压信号，所述第四驱动器生成与由所述突触前神经元生成的尖峰信号的负部分相对应的第四电压信号，

所述写入单元将所述第一电压信号与所述第二电压信号相加而得的第一驱动信号施加至所选择的电阻变化型存储元件的一个端子，将所述第三电压信号与所述第四电压信号相加而得的第二驱动信号施加至所述所选择的电阻变化型存储元件的另一个端子。

7.根据权利要求6所述的突触数组装置，其中，

所述第一驱动信号为设定或重设时的写入电压，所述第二驱动信号为重设或设定时的写入电压。

8.根据权利要求6所述的突触数组装置，其中，

尖峰时序相依可塑性是由所述突触前神经元生成的所述尖峰信号与由所述突触后神经元生成的所述尖峰信号的差。

9.根据权利要求6所述的突触数组装置，其中，所述电阻变化型存储元件包括选择器器件。

10.根据权利要求9所述的突触数组装置，其中，

所述选择器器件为二极管或晶体管。