[发明专利]一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构

说明书

本发明提供了一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构，在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层；本发明在缓冲层晶胞远离缓冲层的一侧上生长预备2D层，预备2D层能够填平缓冲层上的晶胞间隙，使得缓冲层生长有预备2D层的一侧形成较大的平台，在此基础上继续生长的3D层和2D层晶体更加规整，使得之后生长的N型氮化镓结构规整，从而实现质量提高，克服现有大规格衬底上晶胞间隙小，2D层和3D层的受间隙影响不规整导致N型氮化镓层生长质量低的问题，特别适用于在大规格衬底上生长高质量的外延结构。

技术领域

本发明涉及LED芯片制造领域，尤其涉及一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构。

背景技术

外延是指在具有一定结晶取向的原有晶体（衬底）上延伸出的，按一定晶体学方向生长出的薄膜。衬底晶胞通常按底宽区分有2.70-2.75um、2.75-2.80um、2.80-2.85um、2.85-2.90um、2.90-2.95um等规格，高度一般在1.7-2.0um。一般来说，衬底规格越大，越有利于GaN与衬底界面散射时反射光出射角的改变，增加出光几率，从而提高出光效率，提升亮度。但是，衬底规格越大，衬底晶胞间隙会越小，越难在衬底上生长出高品质的GaN材料。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构，实现在衬底上生长高质量外延结构。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种在衬底上生长外延结构的方法，包括步骤：

在衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；

在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种外延结构，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层和3D层，还包括预备2D层；

所述预备2D层设置于所述缓冲层和所述3D层之间。

本发明的有益效果在于：在缓冲层晶胞远离缓冲层的一侧上生长预备2D层，预备2D层能够填平缓冲层上的晶胞间隙，使得缓冲层生长有预备2D层的一侧形成较大的平台，在此基础上继续生长的3D层和2D层晶体更加规整，使得之后生长的N型氮化镓结构规整，从而实现质量提高，克服现有衬底上晶胞间隙小，2D层和3D层的受间隙影响不规整导致N型氮化镓层生长质量低的问题，特别适用于在大规格衬底上生长高质量的外延结构。

附图说明

图1为本发明实施例的一种在衬底上生长外延结构的方法的步骤流程图；

图2为本发明实施例的一种外延结构的示意图；

图3为现有技术的一种外延结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1，一种在衬底上生长外延结构的方法，包括步骤：

在衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层远离所述衬底的一侧上生长预备2D层；

在所述预备2D层远离所述缓冲层的一侧上生长3D层。