[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板以及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成半导体层，其中，所述半导体层包括第一区域，以及位于所述第一区域两侧的第二区域与第三区域，所述半导体层的材料为氧化物半导体；

在所述半导体层远离所述衬底的一侧形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一区域；

在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述栅极绝缘层对应设置；

在所述栅极上形成氧化材料层，所述氧化材料层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，其中，所述氧化材料层与所述第二区域和所述第三区域直接连接，得到半导体基板，所述氧化材料层包括铝和掺杂元素，所述掺杂元素选自Si、Mg、N以及B的至少一种；以及

加热所述半导体基板，所述氧化材料层夺取所述第二区域和所述第三区域中的氧形成氧化物层，所述第二区域导体化形成源极区，所述第三区域导体化形成漏极区。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化材料层的材料为AlX_aO_c，其中，X为所述掺杂元素，X选自Si、Mg、N以及B的至少一种，0.05≤a≤0.3，0≤c＜1.5。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述加热所述半导体基板，以使所述氧化材料层夺取所述第二区域和所述第三区域中的氧形成氧化物层，所述第二区域导体化形成源极区，所述第三区域导体化形成漏极区的步骤包括：

所述氧化材料层暴露在含氧氛围中，以使所述氧化材料层与氧气接触形成所述氧化物层。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述提供衬底，在所述衬底上形成半导体层的步骤之前还包括：在所述衬底上形成源极和漏极；

所述源极与源极区连接，所述漏极与漏极区连接。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述加热所述半导体基板，以使所述氧化材料层夺取所述第二区域和所述第三区域中的氧形成氧化物层，所述第二区域导体化形成源极区，所述第三区域导体化形成漏极区的步骤之后还包括：

在所述氧化物层远离所述半导体层的一侧形成源极和漏极，所述源极与源极区连接，所述漏极与漏极区连接。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

有源层，位于所述衬底上，所述有源层包括沟道区，以及位于所述沟道区两侧的源极区与漏极区，所述有源层的材料为氧化物半导体；

栅极绝缘层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述沟道区；

栅极，设置于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述栅极与所述栅极绝缘层对应设置；以及

氧化物层，设置于所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧，所述氧化物层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极，其中，所述氧化物层与所述源极区和所述漏极区直接连接，所述氧化物层包括铝和掺杂元素，所述掺杂元素选自Si、Mg、N以及B的至少一种。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物层的材料为AlX_aO_b，其中，X为所述掺杂元素，X选自Si、Mg、N以及B的至少一种，0.05≤a≤0.3，1.5≤b≤2.1。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括源极和漏极，所述源极和漏极位于所述有源层与所述衬底之间。

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括源极和漏极，所述源极和漏极位于所述氧化物层远离所述有源层的一侧，所述氧化物层为层间绝缘层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括如权利要求6至9任一项所述的阵列基板。