[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

说明书

本申请公开一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，通过提供第一基板，第一基板包括层叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层；而第二金属层和第二绝缘层在与第一金属层对应的位置处设有开口，漏出部分第一绝缘层；同时在第一基板上方制备第三金属层，第三金属层在开口处断开的同时，位于开口上方的部分第三金属层还与第二金属层连接。通过第三金属层连接断开的第二金属层，实现第二金属层导通的同时，也避免了第二金属层在开口处断线的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

传统薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD）工艺因产品设计需求，源漏极金属层金属走线经过栅极金属层位置时，需要进行爬坡。受爬坡位置形貌影响，光阻涂布过程中，光阻流平性不佳，爬坡位置光阻填充不完全，在金属与光阻间易产生孔隙，使得蚀刻过程药液渗透至孔隙中，产生孔隙腐蚀，导致爬坡断线异常发生，大大影响显示面板的良率。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，旨在解决现有技术下的显示面板容易发生爬坡断线的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

提供第一基板，所述第一基板包括图案化的第一金属层、形成在所述第一金属层上的第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上背离所述第一金属层一侧的第二金属层、形成在所述第二金属层背离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层，所述第二金属层和所述第二绝缘层在与所述第一金属层对应的位置处设有开口，以露出部分所述第一绝缘层；

在所述第一基板上方制备第三金属层，所述第三金属层完全覆盖所述第二绝缘层和所述开口；

对所述第三金属层进行刻蚀处理，使得所述第三金属层在所述开口处断开，且位于所述开口中的部分第三金属层与所述第二金属层连接，得到所述阵列基板；

其中，所述开口完全覆盖所述图案化的第一金属层。

进一步的，所述提供第一基板，所述第一基板包括图案化的第一金属层、形成在所述第一金属层上的第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上背离所述第一金属层一侧的第二金属、形成在所述第二金属层背离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层，所述第二金属层和所述第二绝缘层在与所述第一金属层对应的位置处设有开口，以露出部分所述第一绝缘层，包括：

提供第二基板，所述第二基板包括层叠设置的第一金属层和第一绝缘层，所述第一绝缘层完全覆盖所述第一金属层，所述第一绝缘层上与所述第一金属层对应的位置形成凸起；

在所述第一绝缘层上方制备第二金属层，所述第二金属层完全覆盖所述第一绝缘层；

对所述第二金属层进行刻蚀处理，去除位于所述凸起上方的部分第二金属层，得到第三基板。

进一步的，所述对所述第二金属层进行蚀刻处理，去除位于所述凸起上方的部分第二金属层，得到第三基板，包括：

在所述第二金属层上方涂布光刻胶层，所述光刻胶层完全覆盖所述第二金属层；

获取第一预设掩膜版，使得所述第二金属层上位于所述凸起处的第二金属层裸露；

利用所述第一预设掩膜版对所述光刻胶层和所述第二金属层进行湿蚀刻，去除位于所述第一金属层上方的部分第二金属层，使得所述第二金属层上形成所述开口，得到第三基板。

进一步的，所述方法还包括：

在所述第三基板上方制备第二绝缘层，所述第二绝缘层完全覆盖所述第二金属层；

对所述第二绝缘层进行蚀刻处理，去除位于所述凸起上方的部分第二绝缘层，得到第一基板。