[发明专利]一种旁路电容测试模组及测试方法

权利要求书

1.一种旁路电容测试模组，其特征在于：它包括电源模块（1）、MCU模块（2）、串口通信模块（3）、充放电模块（4）、DAC模块（5）以及电压比较模块（6）；

所述电源模块（1）为所述充放电模块（4）提供充电的直流电压以及为整个模组提供工作电压；

所述MCU模块（2）用于控制各个模块的运行和状态且实现数据处理；

所述串口通信模块（3）与所述MCU模块（2）连接，用于与外部的可视设备通讯；

所述充放电模块（4）通过继电器（K1）与待测的旁路电容引脚连接，并进行待测电容的充电和放电；

所述DAC模块（5）与所述MCU模块（2）连接及接收指令，并输出指定直流电压至所述电压比较模块（6）；

所述电压比较模块（6）用于比较待测电容的电压与所述DAC模块（5）输出的电压，在待测电容的电压值超出所述DAC模块（5）输出的电压阈值时反馈信号触发所述MCU模块（2）的中断。

2.根据权利要求1所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述电压比较模块（6）包括比较器（U7），所述DAC模块（5）的电压输出端通过第一低通滤波模块与所述比较器（U7）的负脚连接，所述比较器（U7）的正脚通过第二低通滤波模块与所述继电器（K1）的输入端子连接。

3.根据权利要求1所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述DAC模块（5）包括型号为AD5683RACPZ-RL7的数模转换器（U6），所述数模转换器（U6）的SDI、SYNC以及SCLK端口与所述MCU模块（2）连接，所述数模转换器（U6）的VOUT端口与所述电压比较模块（6）连接。

4.根据权利要求1所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述充放电模块（4）包括第一MOS管（Q2）、第二MOS管（Q3）以及第三MOS管（Q4），所述第一MOS管（Q2）的S极与所述电源模块（1）的直流电压输出连接，所述第一MOS管（Q2）的D极通过充电电阻（R24）与所述继电器（K1）的输入端子连接，所述第二MOS管（Q3）的G极与所述MCU模块（2）的IO口连接，所述第二MOS管（Q3）的D极与所述第一MOS管（Q2）的G极连接，所述第三MOS管（Q4）的D极通过放电电阻（R25）与所述继电器（K1）的输入端子连接，所述第三MOS管（Q4）的G极与所述MCU模块（2）的IO口连接。

5.根据权利要求5所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述第一MOS管（Q2）的D极通过切换模块以及多路所述充电电阻（R24）与所述继电器（K1）的输入端子连接，每一路所述充电电阻（R24）的阻值均不相同，所述切换模块进行导通通道的切换实现将所需阻值的所述充电电阻（R24）连接在所述第一MOS管（Q2）的D极与所述继电器（K1）的输入端子之间。

6.根据权利要求1所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述电源模块（1）包括5V转3.3V电源管理芯片（U1）以及基准电源管理芯片（U2），所述5V转3.3V电源管理芯片（U1）用于将输入的5V电压转换为3.3V并为所述MCU模块（2）、所述串口通信模块（3）、所述DAC模块（5）以及所述电压比较模块（6）供电，所述基准电源管理芯片（U2）将输入的5V电压转换为2.5V为所述充放电模块（4）提供直流电压。

7.根据权利要求1所述的旁路电容测试模组，其特征在于：所述串口通信模块（3）包括USB转UART芯片（U4）和ESD保护芯片（U5），所述USB转UART芯片（U4）外接USB接口与外部可视设备的USB接头对接通信，所述ESD保护芯片（U5）进行静电释放防止芯片被静电损坏。