[发明专利]一种镉掺杂钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110610482.2 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113506858B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 方国家;刘永杰;王舒欣;刘陈威 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 李斯 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，其包括步骤：
于清洁后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层；
将卤化铅、卤盐、有机钝化剂、以及镉盐溶解于有机溶剂中，得到镉掺杂的钙钛矿前驱液；
将所述钙钛矿前驱液旋涂在所述电子注入层上，并于旋涂过程中滴加氯苯反溶剂，在100℃下经退火10min形成钙钛矿光发射层，形成的所述钙钛矿光发射层中镉并不进入钙钛矿晶体内部，仅在钙钛矿多晶界面处进行钝化；
于所述钙钛矿光发射层上旋涂空穴注入层前驱液，形成空穴注入层后，在所述空穴注入层上依次真空热蒸镀金属电极修饰层和金属电极，得到镉掺杂钙钛矿发光二极管；
所述卤化铅包括PbBr2或PbI2中的至少一种；
所述卤盐包括CsBr、FAI、MAI中的至少一种；
所述有机钝化剂为五氨基戊酸5-AVA或碘化五氨基戊酸5-AVAI；
所述镉盐为碘化镉、溴化镉、氯化镉、二水合醋酸镉中的任一种；
所述钙钛矿前驱液同时包含溴、碘两种卤素。
2.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，于清洁处理后的导电衬底上旋涂电子注入层前驱液，形成电子注入层，具体包括：
当所述电子注入层前驱液为氧化锌量子点溶液时，在所述导电衬底上旋涂所述氧化锌量子点溶液后，形成电子注入层；
当所述电子注入层前驱液为氧化锡量子点溶液时，在所述导电衬底上旋涂所述氧化锡量子点溶液后，经180℃退火30min形成电子注入层。
3.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，形成电子注入层之后，还包括：
在所述电子注入层上旋涂聚乙氧基乙烯亚胺PEIE溶液，经90℃退火10min形成PEIE修饰层。
4.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：
所述卤化铅、卤盐、有机钝化剂之间的摩尔比为1∶(1.2～2.4)∶(0.5～0.7)。
5.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：所述空穴注入层前驱液为13mg/ml的TFB溶液，所述TFB溶液的溶剂为氯苯。
6.如权利要求1所述的镉掺杂钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，对所述导电衬底进行清洁，具体包括：
依次采用去离子水、丙酮、异丙醇、无水乙醇对所述导电衬底进行超声清洗；
将清洗后导电衬底用氮气吹干，并进行UV-zone处理，得到清洁后的导电衬底；
所述导电衬底为带刻蚀形状的氧化铟锡ITO衬底。
7.一种镉掺杂钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述镉掺杂钙钛矿发光二极管由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
