[发明专利]一种多重纳米柱阵列长波通滤光片

权利要求书

1.一种多重纳米柱阵列长波通滤光片，其特征在于，由阵列排布的波浪型亚波长超表面单元构成，所述波浪型亚波长超表面单元包括基底以及在基底上设置的超表面结构，所述超表面结构为由独立的GaAs纳米圆柱等间距排布形成两排“V”型倒波浪结构以及两排“Λ”型正波浪结构依次间隔相对排布组成；在同一滤光片中，所述GaAs纳米圆柱的直径d，基准圆柱的高度H，沿x轴延伸时两GaAs纳米圆柱之间的水平距离l，沿z轴延伸时，同一正波浪结构或倒波浪结构中，相邻两GaAs纳米圆柱的高度差Δh，相邻的“V”型倒波浪结构与“Λ”型正波浪结构水平距离b均为固定值；在y轴向上，“V”型倒波浪结构和“Λ”型正波浪结构所在的排是交替排布的，且在x轴向上，“Λ”型正波浪结构的波谷对应着“V”型倒波浪结构的波峰。

2.根据权利要求1所述的多重纳米柱阵列长波通滤光片，其特征在于，所述“V”型倒波浪结构中，基准圆柱位于中间位置，GaAs纳米圆柱的高度以等差数列的方式沿x轴向两侧延伸，并沿z轴向上延伸；所述“Λ”型正波浪结构中，基准圆柱位于两端位置，以相同的等差数列方式沿x轴向中间延伸，同时沿z轴向上延伸。

3.根据权利要求2所述的多重纳米柱阵列长波通滤光片，其特征在于，所述GaAs纳米圆柱的直径d为54-56nm；所述基准圆柱的高度H为70-80nm；沿x轴延伸时两GaAs纳米圆柱之间的水平距离l为20-22nm；沿z轴延伸时，同一“Λ”型正波浪结构或“V”型倒波浪结构中，相邻两GaAs纳米圆柱的高度差Δh为85-95nm；相邻的“V”型倒波浪结构与“Λ”型正波浪结构水平距离b为90-100nm。