[发明专利]一种铜纳米线表面镀碳方法

权利要求书

1.一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，该方法是在铜纳米线基底上，采用集磁过滤、弧光放电、等离子体于一体的多元共沉积装置进行沉积，制备CuNWs/C抗腐蚀涂层；该方法包括以下步骤：

S1、制备铜纳米线薄膜；

S2、设计多元一体化共沉积装置，所设计的多元一体化装置包括磁过滤器、弧光放电和等离子体镀碳装置；

S3、步骤2所设计的多元一体化共沉积装置采用多元一体化技术制备CuNWs/C抗腐蚀涂层。

2.根据权利要求1 所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述步骤3中，所述多元一体化技术为包括磁过滤技术、弧光放电技术和等离子体技术相结合的多元化沉积技术。

3.根据权利要求2 所述一种一种铜纳米线表面镀铜方法，其特征在于，所述步骤3中，制备CuNWs/C抗腐蚀涂层的具体方法如下：固体碳源在弧光放电作用下产生等离子体，经过磁过滤后筛选掉大颗粒杂质，纯度高的sp²杂化C等离子体进入薄膜沉积腔，在铜纳米线基底上进行沉积形成CuNWs/C涂层。

4.根据权利要求3 所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述固体碳源通过磁过滤筛选与弧光放电、等离子体装置共联，以提高样品纯度；弧光放电的弧源为不同金属及非金属。

5.根据权利要求4 所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述弧源为碳金属。

6.根据权利要求4 所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，共联装置采用用1+1及1+N多个联用，该装置包括反应室、沉积基底、可旋转的基座、气体源及进气口以及出气口。

7.根据权利要求6 所述一种一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述气体源为二氧化碳。

8.根据权利要求3 所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述CuNWs/C抗腐蚀涂层中C的厚度为100nm。

9.根据权利要求1所述一种铜纳米线表面镀碳方法，其特征在于，所述步骤1中，铜纳米线薄膜的制备方法如下：将乙二胺加入到Cu(NO₃)₂·3H₂O的水溶液中，混合均匀，将该混合溶液加入NaOH水溶液中，搅拌均匀，后加入适量水合肼，75℃水浴中，静置1h，得到CuNWs进行抽滤，使用超纯水和无水乙醇进行交叉抽滤清洗，得到CuNWs薄膜。