[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110604835.8 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113380862A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 李俊杰;刘权;杨鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 230001 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示面板及其制备方法。该显示面板的防窥视像素开口暴露的阳极层的表面设有第一凹槽,使得该表面具有平坦部和坡部。其中,平坦部垂直于预定方向,坡部相对该预定方向倾斜设置。位于平坦部的发光层输出的光束具有第一色偏度,位于坡部的发光层输出的光束具有第二色偏度,第一色偏度小于第二色偏度。通过上述方式,本发明能够实现显示面板的防窥视功能,并且有利于提高显示面板的亮度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
手机终端、笔记本电脑等电子设备所搭载的显示屏幕逐渐朝着宽视角的方向发展,用户在享受大视角带来的视觉体验的同时,也希望能够避免屏幕信息外泄,以有效保护商业机密和个人隐私。
目前,诸如应用LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)等显示技术的显示屏幕,通常通过主动驱动液晶的方式,以调节显示屏幕的可视视角,这势必导致显示屏幕的显示控制过程较为复杂,并且对于应用OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术的显示屏幕而言并不适用。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制备方法,能够实现显示面板的防窥视功能,并且有利于提高显示面板的亮度。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种显示面板。该显示面板包括下衬层。该显示面板还包括阳极层,阳极层设于下衬层的一侧。该显示面板还包括像素定义层,像素定义层设于阳极层背离下衬层的一侧,像素定义层具有多个阵列排布的像素开口,至少部分像素开口为防窥视像素开口;防窥视像素开口暴露的阳极层的表面设有第一凹槽,该表面具有平坦部和坡部,平坦部垂直于预定方向,坡部相对预定方向倾斜设置,其中预定方向为下衬层、阳极层以及像素定义层的层叠方向。该显示面板还包括发光层,发光层设于像素开口中,位于平坦部的发光层输出的光束具有第一色偏度,位于坡部的发光层输出的光束具有第二色偏度,其中第一色偏度小于第二色偏度。
在本发明的一实施例中,显示面板还包括光学优化层,光学优化层设于发光层背离阳极层的一侧;位于平坦部的发光层输出的光束在光学优化层具有第一入射角,位于坡部的发光层输出的光束在光学优化层具有第二入射角,其中第一入射角小于第二入射角。
在本发明的一实施例中,坡部相对预定方向的倾斜角度为30°至70°。
在本发明的一实施例中,防窥视像素开口定义出防窥视子像素,除防窥视像素开口之外的其它像素开口定义出常规子像素,常规子像素的像素开口所暴露的阳极层表面为平面;显示面板划分有显示区,防窥视子像素相对常规子像素靠近显示区的外边缘。
在本发明的一实施例中,显示区的外边缘包括第一边缘区、第二边缘区以及角落区,第一边缘区沿第一方向延伸,第二边缘区沿第二方向延伸,第一边缘区和第二边缘区之间通过角落区连接,其中第一方向不同于第二方向;防窥视子像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素;第一子像素靠近第一边缘区设置,且第一子像素的第一凹槽沿第一方向延伸;第二子像素靠近第二边缘区设置,且第二子像素的第一凹槽沿第二方向延伸;第三子像素靠近角落区设置,且第三子像素的第一凹槽的一端朝向第一边缘区延伸,另一端朝向第二边缘区延伸。
在本发明的一实施例中,第三子像素的第一凹槽的延伸方向分别相对第一方向和第二方向倾斜设置;第三子像素的数量为多个;各第三子像素的第一凹槽相对第一方向的倾斜角度沿靠近第一边缘区的方向逐一减小,各第三子像素的第一凹槽相对第二方向的倾斜角度沿靠近第二边缘区的方向逐一减小。
在本发明的一实施例中,防窥视子像素的数量为多个;各防窥视子像素中第一凹槽的数量沿远离外边缘的方向逐一减少。
在本发明的一实施例中,下衬层包括阳极平坦层;阳极平坦层朝向阳极层的表面设有第二凹槽,阳极层和阳极平坦层凹凸嵌合,使得阳极层背离阳极平坦层的表面形成第一凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的