[发明专利]晶圆减薄加工方法

说明书

本发明实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆减薄加工方法。本发明的晶圆减薄加工方法，包括以下步骤，首先在晶圆的正面贴附研磨胶膜层，将贴附有研磨胶膜层的晶圆正面吸附在研磨台面上，且研磨台面的外径与晶圆正面的外径适配，然后对晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度，再在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层，并在胶膜层上贴附铁圈，最后将铁圈固定在晶圆架上，去除晶圆正面的研磨胶膜层。本发明的晶圆减薄加工方法，研磨台面的直径与晶圆正面的外径相当，晶圆研磨时晶圆正面的金属层完全吸附在研磨台面上，解决了晶圆研磨时的破裂问题及研磨时表面焦黑的问题，且减少了机台的异常处理时间，提高了机台的利用率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆减薄加工方法。

背景技术

集成电路芯片不断向高密度、轻薄的方向发展，为了满足要求，需要对晶圆进行减薄及切割。晶圆减薄技术是层叠式芯片封装的关键技术，由于芯片堆叠的层数不断提升，芯片的厚度在逐渐减薄，芯片的容量越来越大。

晶圆包括正面的金属层和背面的硅层，晶圆在加工成型的过程中，在晶圆正面金属层的边缘会产生台阶。

现有技术中的将晶圆放置在研磨台面上研磨减薄时，由于晶圆边缘的台阶，使得研磨台面的真空偏低，造成研磨时晶圆破裂的风险。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆减薄加工方法，以解决上述背景技术中的问题。

本发明实施例提供一种晶圆减薄加工方法，包括以下步骤：

S10提供晶圆，所述晶圆包括：正面的金属层和背面的硅层，且所述金属层的边缘设有台阶；

S20在晶圆的正面贴附研磨胶膜层；

S30使贴附有研磨胶膜层的晶圆的正面吸附在研磨台面上，且研磨台面的外径与晶圆正面的外径适配；

S40对晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度；

S50在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层，并在胶膜层上贴附铁圈；

S60将铁圈固定在晶圆架上，去除晶圆正面的研磨胶膜层。

基于上述方案可知，本发明的晶圆减薄加工方法，通过对晶圆减薄制程进行改进，首先在晶圆的正面贴附研磨胶膜层，将晶圆的正面吸附在研磨台面上，且研磨台面的外径与晶圆正面的外径适配，然后对晶圆的背面进行研磨，并使晶圆达到最终需要的厚度，最后去除晶圆正面的研磨胶膜层。本发明的晶圆减薄加工方法，研磨台面的直径与晶圆正面的金属层的外径相当，晶圆研磨时晶圆的金属层完全吸附在研磨台面上，解决了因晶圆台阶带来的晶圆研磨时的破裂问题及研磨时表面焦黑的问题，提高了芯片的封装良率，且减少了机台因真空报警而产生的异常处理时间，提高了机台的利用率。

在一种可行的方案中，在步骤S40中，具体包括：

S41对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行粗磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+60μm；

S42对粗磨后的晶圆的背面进行精磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+2μm；

S43对精磨后的晶圆的背面进行抛光，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度。

在一种可行的方案中，在步骤S20中，所述研磨胶膜层为UV胶膜。

在一种可行的方案中，在步骤S50中，所述胶膜层为DAF胶膜。

在一种可行的方案中，在步骤S10中，提供晶圆，所述晶圆的正面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，且所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错设置。

附图说明