[发明专利]一种含氮小分子的应用及电镀液

说明书

本发明公开一种含氮小分子的应用及电镀液，所述含氮小分子为5‑甲基吡嗪‑2‑甲醛，将所述含氮小分子用作电镀铜整平剂。所述含氮小分子具有亲电性的C=N双键和醛基，在电镀中有利于整平剂吸附在高电流密度区域；而且，向电镀液中加入此含有C=N双键和醛基的整平剂分子，在电镀大孔径比通孔能提高TP值（深镀能力），TP值可达100%，所述含氮小分子尤其适用于用作通孔的电镀铜整平剂。

技术领域

本发明涉及电镀镀液领域，主要涉及一种含氮小分子的应用及电镀液。

背景技术

近年来，随着电子信息产业的快速发展，电子产品与通讯设备不断的轻薄化、集成化和多功能化，进而要求印制电路板（PCB）具有更高的布线密度、精度和可靠性，才能在有限的表面上，装载更多的微型器件。填孔电镀技术可实现电气互连与镀铜填孔一次性完成，由于铜材料的导电率与散热性方面均优于树脂材料及导电胶，从而能够改善板子的电气性能，提高连接可靠性，填孔电镀技术已成为目前实现HDI印制电路板互连的最重要方法。为实现印制线路板电镀的功能性要求，关键在于开发结构新颖、功能强大的电镀添加剂体系。

电镀铜体系分为氰化物镀液、酸性硫酸盐镀液、焦磷酸盐镀液，柠檬酸-酒石酸盐镀液、HEPD镀液、乙二胺镀液，其中，由于酸性硫酸盐镀液具有电流效率高、深度能力强、成本低、废水处理简单等优点，而被广泛应用。但电镀添加剂分子的结构和使用浓度对酸性硫酸盐镀液的性能起着决定性的作用。近几十年来，对于酸性硫酸铜盐镀铜体系的研究主要集中在添加剂的筛选及组合上。通过印制线路板电镀工艺中用到的添加剂主要有三类：加速剂、抑制剂和整平剂。整平剂通常为含氮杂环化合物，它们较易吸附在板面突起的区域，即高电流密度区，使该处的电镀速度变慢，抑制高电流密度区域铜的沉积，而在板面凹陷处及通通孔孔内吸附较少，使得此处的铜沉积作用不受影响，从而达到整平板面的效果。受电流分布不均匀以及对流强度的影响，大孔径比通孔（孔径比为1:3以上的通孔）在电镀过程中孔口处铜沉积速度过快，孔内的铜沉积速度慢，通孔电镀铜层厚度不均匀，导致线路板稳定性和可靠性降低。现有整平剂较少有能实现大孔径比通孔电镀，因此需要迫切开发出适用于电镀大孔径比通孔的整平剂及新型电镀液配方。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种含氮小分子的应用及电镀液，旨在解决现有整平剂不适用于能实现通孔电镀的问题。

本发明的技术方案如下：

一种含氮小分子的应用，其中，将所述含氮小分子用作电镀铜整平剂，所述含氮小分子为5-甲基吡嗪-2-甲醛，化学结构式为。

一种电镀液，其中，所述电镀液用于通孔电镀，所述电镀液中包含整平剂，所述整平剂为含氮小分子，所述含氮小分子为5-甲基吡嗪-2-甲醛，化学结构式为。

所述的电镀液，其中，所述整平剂在电镀液中的浓度为0.5-100 ppm。

所述的电镀液，其中，所述电镀液中还包括加速剂和抑制剂。

所述的电镀液，其中，所述加速剂为1-丁基磺酸-3-甲基咪唑三氟甲烷磺酸盐、2-二甲氨基-1，3-双硫代磺酸钠基丙烷、2-二甲氨基-1,3-双(硫代硫酸钠)丙烷、3-(甲脒基硫代)-1-丙磺酸、甲基硫代磺酰基(2-磺酰乙基)钠、SPS、UPS、DPS中的一种。

所述的电镀液，其中，所述抑制剂为PEG、PPG或者EPE中的一种或两种混合使用。

所述的电镀液，其中，所述抑制剂的浓度范围为100-1000 ppm，所述抑制剂的浓度范围为100-1000 ppm。

所述的电镀液，其中，所述加速剂为SPS，所述抑制剂采用EPE6000。

所述的电镀液，其中，所述电镀液中还包括以下成分：

五水硫酸铜 90-110 g/L，硫酸190-210 g/L，氯离子浓度 50-70 mg/L。