[发明专利]存储器刷新控制方法、装置、控制电路及存储器件

说明书

本发明公开了一种存储器刷新控制方法、装置、控制电路以及存储器件，复用了每个存储区域的ECC模块产生的报错信号，分别针对每个存储区域，基于ECC模块输出的报错信息，周期性地检测存储区域是否出现数据错误，若在预设时间周期内未检测到数据错误，则控制该存储区域按照设定刷新频率进行刷新，并进入下一周期的错误检测，直至检测到数据错误时，将该存储区域的刷新频率恢复到初始刷新频率，其中，设定刷新频率小于初始刷新频率。这样能够减少不必要的刷新操作，从而减少无用刷新带来的芯片功耗。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器刷新控制方法、装置、控制电路以及存储器件。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器)的存储单元电荷泄露是不可避免的问题，需要周期性刷新以确保存储单元中的数据信息不丢失。存储阵列中数据保持能力较弱的存储单元更易失效，及时刷新可以一定程度降低失效风险。

然而，刷新操作会带来额外的芯片功耗。更高频率的刷新可以改善DRAM存储数据保持能力，但也会带来更大的功耗。尤其是3D封装的DRAM，片内更多的互联线，更多层的堆叠芯片导致复杂的片内热分布与热特性，使得散热问题成为3D封装的典型问题。片内多颗DRAM刷新会带来更大的功耗，更大的功耗会使得片内的温度进一步变高，再因为散热问题导致芯片内部温度持续升高。而DRAM单元的电荷保持时间与温度是强相关的，漏电流在高温下更易导致失效，在低温环境下，电荷保持时间更长，更不易出现失效。因此，多颗DRAM刷新带来的高能耗和高温，又会反向导致DRAM电荷保持能力降低。

发明内容

本申请实施例提供了一种存储器刷新控制方法、装置、控制电路以及存储器件，能够减少不必要的刷新操作，有利于降低芯片刷新功耗。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器刷新控制方法，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块。所述方法包括：

分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息；

针对所述每个存储区域，基于所述报错信息，周期性地检测所述存储区域是否出现数据错误，若在预设时间周期内未检测到数据错误，则控制所述存储区域按照设定刷新频率进行刷新，并进入下一周期的错误检测，直至检测到数据错误时，将所述存储区域的刷新频率恢复到初始刷新频率，其中，所述设定刷新频率小于初始刷新频率。

可选地，所述方法还包括：若在预设时间周期内未检测到数据错误，则增大所述存储区域的可靠性等级。所述控制所述存储区域按照设定刷新频率进行刷新，包括：

若所述可靠性等级大于第一预设阈值且小于第二预设阈值，则控制所述存储区域按照第一设定刷新频率进行刷新；

若所述可靠性等级大于或等于第二预设阈值，则控制所述存储区域按照第二设定刷新频率进行刷新，其中，所述第一设定刷新频率小于所述初始刷新频率，所述第二设定刷新频率小于所述第一设定刷新频率。

可选地，所述方法还包括：基于所述可靠性等级以及所述预设时间周期，得到所述存储区域的电荷保持时间。

可选地，所述控制所述存储区域按照设定刷新频率进行刷新之后，所述方法还包括：对所述存储区域的物理层信息进行上报。

可选地，所述动态随机存储器为3D封装的动态随机存储器。

第二方面，本申请实施例还提供了一种存储器刷新控制装置，应用于动态随机存储器，所述动态随机存储器包括M个存储区域，M为大于或等于1的整数，且每个所述存储区域分别对应设置有ECC模块。所述装置包括：

获取模块，用于分别获取每个存储区域的ECC模块输出的报错信息；