[发明专利]一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置在审
申请号: | 202110602405.2 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113345946A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 闫光;林奕呈;韩影;李正亮;杨栋芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 控制 方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置,其中,显示基板包括:衬底、驱动芯片以及驱动结构层和发光结构层;发光结构层包括:多个发光结构,驱动结构层包括:多个像素电路和多个光电传感电路;发光结构在衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠,且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠;像素电路,设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光;光电传感电路,设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线,将出射过来的光线的光信号转换为电信号,并将电信号传输至驱动芯片;驱动芯片,设置为根据光电传感电路传输的电信号,控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。
随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光结构、由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面,本公开提供了一种显示基板,包括:衬底、驱动芯片以及依次叠设在所述衬底上的驱动结构层和发光结构层;所述发光结构层包括:多个发光结构,所述驱动结构层包括:多个像素电路和多个光电传感电路;所述发光结构层包括相对设置的背光侧和出光侧,所述出光侧为所述发光结构层远离衬底的一侧;至少一个像素电路和至少一个发光结构一一对应,至少一个光电传感电路与至少一个发光结构一一对应;
所述发光结构在所述衬底上的正投影与对应的像素电路在衬底上的正投影至少部分重叠,且与对应的光电传感电路在衬底上的正投影至少部分重叠;
所述像素电路,与对应的发光结构电连接,设置为根据驱动信号驱动对应的发光结构发光;
所述光电传感电路,设置为接收从对应的发光结构背光侧出射过来的光线,将出射过来的光线的光信号转换为电信号,并将电信号传输至驱动芯片;
所述驱动芯片,分别与多个光电传感电路和多个像素电路电连接,设置为根据光电传感电路传输的电信号,控制向对应的像素电路提供的驱动信号。
在一些可能的实现方式中,所述光电传感电路包括:控制晶体管和光电传感器;
所述光电传感器,与电源线电连接,设置为将从对应的发光结构背光侧出射过来的光线的光信号转换为电信号;
所述控制晶体管的控制极与控制信号线电连接,所述控制晶体管的第一极与光电传感器电连接,所述控制晶体管的第二极与所述信号输出线电连接,且所述控制晶体管设置为在控制信号线的控制下,向信号输出线提供光电传感器转换的电信号;
所述信号输出线与驱动芯片电连接。
在一些可能的实现方式中,所述光电传感器为PIN光电二极管。
在一些可能的实现方式中,所述光电传感器包括:依次叠设的第一电极、光电转换层和第二电极;
所述第一电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠,所述第二电极在衬底上的正投影和所述光电转换层在衬底上的正投影至少部分重叠。
在一些可能的实现方式中,所述第一电极与所述控制晶体管的第一极为同一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的