[发明专利]光阻去除方法

说明书

本发明公开了一种光阻去除方法，包括：按设计工艺形成光阻,并对光阻进行刻蚀；使用弱碱性清洗液对光阻进行预定时间的清洗去除；执行后续设计工艺步骤。本发明采用弱碱性清洗液，对DUO(以及其他光阻)及其表层坚硬的外壳进行有效清洗去除，同时和现有技术采用酸性清洗液例如DHF相比能有效地减少金属层的损耗，进而更有利于工艺良率的优化和提升。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种光阻去除方法。

背景技术

伴随器件尺寸的不断缩小，栅极介质的厚度不断减薄，栅极的漏电流也随之增大，在5nm以下，由于电子的隧穿效应，SiO2作为栅极介质所产生的漏电流已经无法接受。采用高介电常数(high-k)介质取代SiO2看可以有效降低等效二氧化硅绝缘厚度，同时可得到较大的栅极介质的物理厚度，从而在源头堵住栅极漏电。目前在32nm节点中可以采用先栅极(gate-first)工艺和后栅极(gate-last)工艺两种制程来获得高介电常数金属栅极(HKMG：High-K Metal Gate)结构。在28nm HK后栅极工艺，即替代金属栅(RMG：Replacement MetalGate)工艺中，High-K材料不用经历高温过程，可以有效降低阈值电压Vt的漂移，从而提高器件的可靠性，但是RMG工艺需包含更多工艺步骤，给制造带来更多的挑战。

在HKMG半导体制造工艺中，DUO(以及其他光阻)在经过刻蚀后表层会形成一层坚硬的外壳，导致在后续清洗工艺中使用单纯的solvent难以将其完全去除干净，在现有工艺中先用DHF进行pre treatment可以去除表层硬壳，但是在清洗过程中DHF会接触到底部的金属层，存在金属层损耗的风险。

因此，需要一种新的光阻清洗方案，不仅可以有效的去除DUO表层的硬壳，同时和DHF相比可以有效地减少金属层的损耗，进而更有利于工艺良率的优化和提升。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能有效的去除DUO表层的硬壳，同时和DHF相比能有效地减少金属层损耗的光阻去除方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的光阻去除方法，包括以下步骤：

S1，按设计工艺形成光阻,并对光阻进行刻蚀；

S2，使用弱碱性清洗液对光阻进行预定时间的清洗去除；

S3，执行后续设计工艺步骤。

可选择的，进一步改进所述的光阻去除方法，所述弱碱性清洗液是氨水。

可选择的，进一步改进所述的光阻去除方法，实施步骤S2时，氨水浓度为10％-20％。

其中，氨水浓度优选为10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％。

可选择的，进一步改进所述的光阻去除方法，实施步骤S2时，清洗时间范围为30秒-60秒。

其中，清洗时间优选为30秒、35秒、40秒、45秒、50秒、55秒或60秒。

可选择的，进一步改进所述的光阻去除方法，实施步骤S2时，氨水浓流量为1000ml/min-2000ml/min；

其中，氨水浓流量优选为1000ml/min、1100ml/min、1200ml/min、1300ml/min、1400ml/min、1500ml/min、1600ml/min、1700ml/min、1800ml/min、1900ml/min或2000ml/min。