[发明专利]一种超导带材缺陷定位系统及方法在审
| 申请号： | 202110599485.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113325067A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;黑颖顿;周兴梅;钱国超;钟剑明 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01N27/83 | 分类号： | G01N27/83 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超导 缺陷 定位 系统 方法 | ||
1.一种超导带材缺陷定位系统，其特征在于，包括：超导带材(1)，所述超导带材(1)的两端分别电连接电流发生装置(2)；所述超导带材(1)的下方设置有低温扫描霍尔探头(3)，所述低温扫描霍尔探头(3)电连接有信号采集装置(4)，所述信号采集装置(4)电连接有数据处理装置(5)。
2.一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述缺陷定位方法应用于权利要求1所述的一种超导带材缺陷定位系统；
所述缺陷定位方法包括：
将超导带材放置于零下196℃的低温环境充分冷却后通入电流产生磁场；
低温扫描霍尔探头检测超导带材产生的磁场；
信号采集装置获取磁场的分布信号；
数据处理装置根据磁场的分布信号分析得到超导带材的电流密度分布。
3.根据权利要求2所述的一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述将超导带材放置于零下196℃的低温环境充分冷却后通入电流产生磁场包括：
将超导带材固定于上开口的箱体内的底部，在箱体内注入浸没超导带材的液氮，以使超导带材处于零下196℃的低温环境中充分冷却；
将超导带材两端通过铜导线与电流发生装置连接，得到通流平台，向超导带材中通入直流电流，以使超导带材产生磁场。
4.根据权利要求3所述的一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述箱体为泡沫箱。
5.根据权利要求4所述的一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述箱体内部的底部设置有绝缘板，所述超导带材设置于所述绝缘板上。
6.根据权利要求4所述的一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述数据处理装置根据磁场的分布信号分析得到超导带材的电流密度分布包括：
数据处理装置根据超导带材的磁通量密度分布，分析得到超导带材的电流密度分布。
7.根据权利要求4所述的一种超导带材缺陷定位方法，其特征在于，所述信号采集装置设置于常温环境中。
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