[发明专利]用于有源移相器中的功耗降低的方法和电路在审
| 申请号： | 202110598818.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113765500A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | A.吉恩;A.辛格;于晓华;孙祥源;吕思壮;T.张 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 有源 移相器 中的 功耗 降低 方法 电路 | ||
1.一种电子电路，包括：
同相I正交Q放大器，包括I共源共栅分支和Q共源共栅分支，IQ放大器配置为：
接收差分输入信号和控制信号；
基于控制信号来控制I共源共栅分支中的栅极电压和Q共源共栅分支中的栅极电压；
用I共源共栅分支生成I输出信号；以及
用Q共源共栅分支生成Q输出信号；以及
正交耦合器，配置为：
执行I输出信号和Q输出信号的正交求和；以及
生成最终的相移输出。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中，I共源共栅分支包括第一共源共栅臂和第二共源共栅臂。
3.根据权利要求2所述的电子电路，其中，第一共源共栅臂包括第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管，并且第二共源共栅臂包括第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管。
4.根据权利要求3所述的电子电路，其中，第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管处理接收到的控制信号中的基于I的控制信号。
5.根据权利要求3所述的电子电路，其中，第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管被分段并加权以生成相对I:Q比。
6.根据权利要求1所述的电子电路，其中，Q共源共栅分支包括第一共源共栅臂和第二共源共栅臂。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其中，第一共源共栅臂包括第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管，并且第二共源共栅臂包括第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管。
8.根据权利要求7所述的电子电路，其中，第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管处理接收到的控制信号中的基于Q的控制信号。
9.根据权利要求7所述的电子电路，其中，第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管被分段并加权以生成相对I:Q比。
10.根据权利要求1所述的电子电路，还包括配置为基于4比特数字输入生成控制信号的数字逻辑块。
11.一种方法，包括：
用包括I共源共栅分支和Q共源共栅分支的同相I正交Q放大器接收差分输入信号和控制信号；
基于控制信号来控制I共源共栅分支中的栅极电压和Q共源共栅分支中的栅极电压；
用I共源共栅分支生成I输出信号；
用Q共源共栅分支生成Q输出信号；
用正交耦合器执行I输出信号和Q输出信号的正交求和；以及
用正交耦合器生成最终的相移输出。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，I共源共栅分支包括第一共源共栅臂和第二共源共栅臂。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，第一共源共栅臂包括第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管，第二共源共栅臂包括第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，处理控制信号还包括用第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管来处理接收到的控制信号中的基于I的控制信号。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管、第三共源共栅晶体管和第四共源共栅晶体管被分段并加权以生成相对I:Q比。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，Q共源共栅分支包括第一共源共栅臂和第二共源共栅臂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110598818.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
