[发明专利]稀土磁铁及其制造方法

权利要求书

1.一种稀土磁铁，具备主相及存在于所述主相的周围的晶界相，

以摩尔比计，整体组成由式(R¹_(1-x)La_x)_y(Fe_(1-z)Co_z)_(100-y-w-v)B_wM¹_v表示，其中，R¹为选自Nd、Pr、Gd、Tb、Dy和Ho之中的一种以上的元素，M¹为选自Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In和Mn之中的一种以上的元素及不可避免的杂质元素，并且，0.02≤x≤0.1、12.0≤y≤20.0、0.1≤z≤0.3、5.0≤w≤20.0、0≤v≤2.0，

所述主相具有R₂Fe₁₄B型晶体结构，其中，R为稀土元素，

所述主相的平均粒径为1～10μm，并且，

相对于所述晶界相，所述晶界相中的具有RFe₂型晶体结构的相的体积比率为0.60以下。

2.一种稀土磁铁，具备主相及存在于所述主相的周围的晶界相，

以摩尔比计，整体组成由式(R¹_(1-x)La_x)_y(Fe_(1-z)Co_z)_(100-y-w-v)B_wM¹_v·(R²_(1-s)M²_s)_t表示，其中，R¹及R²为选自Nd、Pr、Gd、Tb、Dy和Ho之中的一种以上的元素，M¹为选自Ga、Al、Cu、Au、Ag、Zn、In和Mn之中的一种以上的元素及不可避免的杂质元素，M²为与R²合金化的除了稀土元素以外的金属元素及不可避免的杂质元素，并且，0.02≤x≤0.1、12.0≤y≤20.0、0.1≤z≤0.3、5.0≤w≤20.0、0≤v≤2.0、0.05≤s≤0.40、0.1≤t≤10.0，

所述主相具有R₂Fe₁₄B型晶体结构，其中，R为稀土元素，

所述主相的平均粒径为1～10μm，并且，

相对于所述晶界相，所述晶界相中的具有RFe₂型晶体结构的相的体积比率为0.60以下。

3.根据权利要求2所述的稀土磁铁，所述t满足0.5≤t≤2.0。

4.根据权利要求2或3所述的稀土磁铁，所述R²为Tb，并且，所述M²为Cu及不可避免的杂质元素。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的稀土磁铁，式H_c＝α·H_a－N_eff·M_s中所示的组织参数α为0.30～0.70，其中，H_c为顽磁力，H_a为各向异性磁场，M_s为饱和磁化，并且，N_eff为自退磁场系数。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的稀土磁铁，所述R¹为选自Nd和Pr之中的一种以上的元素，并且，所述M¹为选自Ga、Al和Cu之中的一种以上的元素及不可避免的杂质元素。