[发明专利]一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构

权利要求书

1.一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构，其特征在于，包括：输入滤波电路、整流级电路、Γ源电路和逆变级电路；

所述输入滤波电路用于连接交流电源，输出滤波电压传输至所述整流级电路；所述整流级电路接收所述滤波电压，输出整流电压并传输至所述Γ源电路；

所述Γ源电路接收所述整流电压，输出升压电压并传输至所述逆变级电路；所述逆变级电路接收所述升压电压，输出逆变电压；

其中，所述Γ源电路包括一个二极管和一个变压器及电容；

所述整流电压通过所述二极管传输至变压器，所述变压器连接电容，且所述变压器输出升压电压并传输至所述逆变级电路。

2.根据权利要求1所述的一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构，其特征在于，所述变压器由第一电感和第二电感耦合而成；

所述整流电压通过所述二极管分别传输至第一电感和第二电感的同名端；

所述第一电感的标记端输出升压电压并传输至所述逆变级电路；

所述第二电感的标记端连接所述电容。

3.根据权利要求1或2所述的一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构，其特征在于，所述变压器匝数比范围在1～2之间。

4.根据权利要求3所述的一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构，其特征在于，所述超稀疏矩阵变换器电压传输比M，具体表示为：

其中，B为Γ源电路的变压比，且满足B＝(γ_Γ-1)/[γ_Γ(1-D_ST)-1]

其中U_om为输入电压幅值，U_dc为直流电压，为输入电流位移因数，D_ST为Γ源电路开关占空比，γ_Γ为Γ源电路变压比。

5.根据权利要求4所述的一种含Γ源电路的新型超稀疏矩阵变换器拓扑结构，其特征在于，所述Γ源电路中的电容参数设计：

C≥D_STI_L{1-[1+1/(γ_Γ-1)]D_ST}/[6f_Sru_dc(1-D_ST)]；

其中，D_ST为Γ源电路开关占空比，I_L为电感平均电流，γ_Γ为Γ源电路变压比，f_S为开关频率，r为输出电压纹波系数。