[发明专利]一种防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法有效
申请号: | 202110595532.4 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113817257B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 丁成;刘雄军;李斌;凌国桢;狄洪杰 | 申请(专利权)人: | 江苏上上电缆集团新材料有限公司;江苏上上电缆集团有限公司 |
主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08L23/06;C08L23/12;C08L51/06;C08K5/134;C08K5/526;C08K5/3475;H01B3/44 |
代理公司: | 南京科阔知识产权代理事务所(普通合伙) 32400 | 代理人: | 苏兴建 |
地址: | 213399 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防铜害 步法 硅烷 交联 聚乙烯 绝缘 料及 制备 方法 | ||
1.一种防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于:其原料配方是由硅烷接枝料A组份和催化剂母粒B组份组成:
硅烷接枝料A组份是由以下重量份数的组分组成:
线性低密度聚乙烯 40-100份;
茂金属聚乙烯 20-100份;
聚丙烯 10-30份;
硅烷交联剂 1-3份;
引发剂 0.2-1份
第一抗氧剂 0.1-2份;
催化剂母粒B组份是由以下重量份数的组分组成:
线性低密度聚乙烯 80-100份;
催化剂 1-2份;
润滑剂 5-15份;
第二抗氧剂 1份;
抗铜剂 1-2份;
防腐蚀剂 0.5-2份;
所述抗铜剂为2,2,4-三甲基-1,2-二氢化喹啉聚合体;
所述防腐蚀剂是苯并三氮唑。
2.根据权利要求1 所述的防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料,其特征在于:线性低密度聚乙烯密度的熔体流动速率为2.5-3.8 g/10min,聚丙烯为均聚聚丙烯,密度为0.89-0.91g/cm3,熔体流动速率为2-5g/10min。
3.权利要求1-2任意一项所述的防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)制备接硅烷接枝料A组份:
1.1)使用往复机生产,将线性低密度聚乙烯、聚丙烯和茂金属聚乙烯体通过失重秤按配方比加入往复机主喂料;
1.2)按照配方比将硅烷交联剂、引发剂及第一抗氧剂混合,制得硅烷混合液,用电脑控制液体计量秤向螺杆中准确注射硅烷混合液;
1.3)经过往复机塑化接枝,熔体泵挤出,水下切切粒,脱水干燥后制得硅烷接枝料A组份;
2)制备催化剂母粒B组份:
2.1)按配方比将线性低密度聚乙烯、润滑剂、第二抗氧剂和抗铜剂,使用失重秤均匀加入双螺杆挤出机;
2.2)按配方比准确称取防腐蚀剂和催化剂,将防腐蚀剂均匀加入催化剂中,搅拌后制成复配的催化剂,使用液体注射枪注入双螺杆,经过挤出造粒,脱水干燥,制得催化剂母粒B组份;
3)将步骤1)所得硅烷接枝料A组份和步骤2)所得催化剂母粒B组份按重量配比95:5配比包装,即得防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤1)中熔体泵的温度设定为200℃,并且使用水下切进行切粒,温度设定205℃。
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