[发明专利]一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺

权利要求书

1.一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，包括：

将N型单晶硅片进行制绒、抛光、背面生长隧穿氧化层、背面沉积P型掺杂多晶硅及N型掺杂多晶硅、正面磷扩散、正面沉积减反射层、背面沉积钝化层；

在所述P型掺杂多晶硅及所述N型掺杂多晶硅对应印刷栅线位置利用激光消融方式刻蚀所述钝化层以形成凹槽；

利用银浆一次性在所述P型掺杂多晶硅及所述N型掺杂多晶硅对应所述凹槽丝网印刷所述栅线；

将完成丝网印刷的硅片低温烧结得到电池成品，烧结温度为400～690℃。

2.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜中任意的一者或任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述凹槽为宽度10～100um的激光线槽。

4.根据权利要求3所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述凹槽为宽度40um的激光线槽。

5.根据权利要求3或4所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述栅线的宽度为10～150um。

6.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述烧结温度为500～600℃。

7.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述激光消融具体采用紫外皮秒激光器。

8.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述将完成丝网印刷的硅片低温烧结得到电池成品的步骤之前还包括：

将完成丝网印刷的硅片进行烘干，烘干温度为200～300℃。

9.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～10nm。

10.根据权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的IBC电池的加工工艺，其特征在于，所述P型掺杂多晶硅及所述N型掺杂多晶硅的厚度均为50～300nm。