[发明专利]量子点发光器件、其制作方法及显示装置在审
| 申请号: | 202110594208.0 | 申请日: | 2021-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN113314678A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 朱友勤;李东;陈卓 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子 发光 器件 制作方法 显示装置 | ||
1.一种量子点发光器件,其特征在于,包括依次排列的第一电极层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极层;
所述电子传输层的材料为金属氧化物;
所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体,所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团;
所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团,所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材料包括ZnO或ZnMgO。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述吸电子基团包括-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述给电子基团包括二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的量子点发光器件,其特征在于,所述第一电极层的材料包括氧化铟锡,所述第二电极层的材料包括银。
6.一种量子点显示装置,其特征在于,包括衬底基板,和多个权利要求1-5中任一项所述的量子点发光器件。
7.一种量子点发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上依次形成第一电极层和电子传输层;
在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层,所述量子点发光层包括量子点和连接在所述量子点表面的吸电配体,所述吸电配体包括位于量子点远离所述电子传输层一侧的吸电子基团;
在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层,所述空穴传输层的材料的侧链带有给电子基团,所述吸电子基团和所述给电子基团相互作用形成偶极子;
在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧依次形成空穴注入层和第二电极层。
8.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法,其特征在于,在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成量子点发光层,包括:
利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层;
利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面,以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层。
9.根据权利要求8所述的量子点发光器件的制作方法,其特征在于,利用表面连接有原始配体的量子点材料在所述电子传输层远离所述衬底的一侧以形成原始量子点层,包括:
将表面连接有原始配体的量子点材料配制为量子点溶液;
将所述量子点溶液通过喷墨打印、刮涂或旋涂的方式沉积在所述电子传输层远离所述衬底的一侧,并进行干燥处理以形成原始量子点层。
10.根据权利要求8所述的量子点发光器件的制作方法,其特征在于,利用含有吸电子基团的冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面,以使所述吸电子基团取代所述原始配体而形成所述量子点发光层,包括:
将含有-F、-Cl、-CN、-NO2、-ClO3、-ClO2以及-ClO中至少一种吸电子基团的盐配制为冲洗溶液;
以所述冲洗溶液冲洗所述原始量子点层的表面,以使所述吸电子基团取代所述原始配体,并进行干燥处理以形成所述量子点发光层。
11.根据权利要求7所述的量子点发光器件的制作方法,其特征在于,在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧形成空穴传输层,包括:
将含有二烷基氨基、烷基氨基、氨基、羟基、烷氧基以及硝基中的至少一种给电子基团的材料以蒸镀、喷墨打印或旋涂的方式沉积在所述量子点发光层远离所述衬底的一侧,以形成所述空穴传输层。
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