[发明专利]一种多层导电纳米涂层及其生产工艺

权利要求书

1.一种多层导电纳米涂层，其特征在于：包括由内至外依次布置的A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7膜层，其中A1膜层和A4膜层的元素组成包括Cr，A2膜层和A5膜层的元素组成包括Cr和Ni，A3膜层和A6膜层的元素组成包括Cu，A7膜层的元素组成包括Ag，A1膜层和A4膜层采用纯离子镀膜法制备得到，A2膜层、A3膜层、A5膜层、A6膜层和A7膜层采用磁控溅射法制备得到。

2.根据权利要求1所述的多层导电纳米涂层，其特征在于：A1膜层的厚度为0.05-0.4μm，A2膜层和A5膜层的厚度为0.1-0.5μm，A3膜层和A6膜层的厚度为0.2-0.8μm，A7膜层的厚度为0.5-2μm。

3.根据权利要求1或2所述的多层导电纳米涂层，其特征在于：

A1膜层中元素组成和原子占比为：Cr:95%-99%、N:0.5%-3%、O:0.5%-2%；

A2膜层中元素组成和原子占比为：Ni:74%-84%、Cr:14%-24%、N:0%-1%、O:0%-1%；

A3膜层中元素组成和原子占比为：Cu:98%-99%、N:0.5%-1%、O: 0.5%-1%；

A4膜层中元素组成和原子占比为：Cr:98%-99.5%、N:0.25%-1%、O: 0.25%-1%；

A5膜层中元素组成和原子占比为：Ni:74.5%-84.5%、Cr:14.5%-24.5%、N:0%-0.5%、O:0%-0.5%；

A6膜层中元素组成和原子占比为：Cu:98%-99%、N:0.5%-1%、O: 0.5%-1%；

A7膜层中元素组成和原子占比为：Ag:99%-99.5%、N:0.25%-0.5%、O: 0.25%-0.5%。

4.一种权利要求1～3中任意一项所述的多层导电纳米涂层的生产工艺，其特征在于，包括如下操作：

将清洁后的基体装配在真空腔室内的夹具上，对真空腔室进行抽真空并对镀膜设备进行除杂处理，打开磁过滤弯管上PIC过滤挡板，开启PIC弧电源，采用PIC-Cr靶在基体上制备A1膜层，A1膜层制备好后，关闭PIC过滤挡板，从NiCr溅射靶进气口充入Ar，开启NiCr靶溅射电源和偏压电源，磁控溅射制备A2膜层，A2膜层制备好后，关闭磁控溅射NiCr靶，从Cu溅射靶进气口充入Ar，开启Cu靶溅射电源和偏压电源，磁控溅射制备A3膜层，A3膜层制备好后，关闭磁控溅射Cu靶，打开PIC过滤挡板，开启PIC弧电源，采用PIC-Cr靶在基体上制备A4膜层，A4膜层制备好后，关闭PIC过滤挡板，从NiCr溅射靶进气口充入Ar，开启NiCr靶溅射电源和偏压电源，磁控溅射制备A5膜层，A5膜层制备好后，关闭磁控溅射NiCr靶，从Cu溅射靶进气口充入Ar，开启Cu靶溅射电源和偏压电源，磁控溅射制备A6膜层，A6膜层制备好后，关闭磁控溅射Cu靶，开启Ag靶溅射电源和偏压电源，磁控溅射制备A7膜层。

5.根据权利要求4所述的多层导电纳米涂层的生产工艺，其特征在于，制备A1膜层时，真空腔室内的气压低于3×10^-3 Pa，温度为100-150℃，设置弧电流50-130A，过滤器电流5-20A，阳极电流5-20A，时间400-3200s；

制备A4膜层时，真空腔室内的气压低于1.5×10^-3 Pa，温度为100-150℃，设置弧电流90-120A，过滤器电流5-20A，阳极电流5-20A，时间400-3200s。