[发明专利]一种焦平面探测器及其铟球阵列制备方法

权利要求书

1.一种焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，包括：

获得上表面分布有光刻胶和第一金属层的预处理读出电路芯片；其中，所述光刻胶对应输入级像元以外的区域，所述第一金属层覆盖所述光刻胶和所述输入级像元；

在所述第一金属层对应所述输入级像元的区域形成台状体介质膜层，得到处理后读出电路芯片；其中，所述台状体介质膜层的顶部呈平面状、侧面呈倾斜表面且底部尺寸小于所述输入级像元尺寸；

在所述处理后读出电路芯片的上表面制备第二金属层；所述第二金属层与所述第一金属层相连；

在所述第二金属层的表面制备铟膜层，并去除光刻胶以及与光刻胶对应的所述第一金属层、所述第二金属层、所述铟膜层；

将所述台状体介质膜层倒置于起球液中使所述铟膜层在所述台状体介质膜层的顶部形成铟球，以得到铟球阵列；

所述在所述第二金属层的表面制备铟膜层之前，还包括：

在所述第二金属层的表面制备金膜层；

相应的，在所述第二金属层的表面制备铟膜层，并去除光刻胶以及与所述光刻胶对应的所述第一金属层、所述第二金属层、所述铟膜层包括：

在所述金膜层的表面制备铟膜层，并去除光刻胶以及与所述光刻胶对应的所述第一金属层、所述第二金属层、所述金膜层、所述铟膜层。

2.如权利要求1所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层对应所述输入级像元的区域形成台状体介质膜层包括：

在所述第一金属层的上表面制备介质膜层；

在所述介质膜层的上表面对应所述输入级像元的区域制备阻挡层；其中，所述阻挡层的面积小于所述输入级像元面积；

在所述阻挡层的遮挡下刻蚀所述介质膜层，并去除所述阻挡层，得到台状体介质膜层。

3.如权利要求2所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，在所述介质膜层的上表面对应所述输入级像元的区域制备阻挡层包括：

在所述介质膜层的上表面涂覆光刻胶，并对位于所述介质膜层上表面的光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶阻挡层。

4.如权利要求1所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述台状体介质膜层为圆台状介质膜层。

5.如权利要求1所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述获得上表面分布有光刻胶和第一金属层的预处理读出电路芯片之前，还包括：

在读出电路芯片上表面涂覆光刻胶，并对位于所述读出电路芯片上表面的、与所述输入级像元对应的光刻胶进行曝光和显影；

在形成有光刻胶的所述读出电路芯片的上表面制备第一金属层，得到所述预处理读出电路芯片。

6.如权利要求5所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述在形成有光刻胶的所述读出电路芯片的上表面制备第一金属层包括：

采用离子束沉积方式，在形成有光刻胶的所述读出电路芯片的上表面制备所述第一金属层。

7.如权利要求2所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的上表面制备介质膜层包括：

采用化学气相沉积方式，在所述第一金属层的上表面制备所述介质膜层。

8.如权利要求1所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为铬。

9.一种焦平面探测器，其特征在于，所述焦平面探测器中的铟球阵列采用如权利要求1至8任一项所述的焦平面探测器的铟球阵列制备方法制得。