[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

浅沟槽隔离结构；

导电性区域，与所述浅沟槽隔离结构相邻设置；

第一栅极结构，位于所述浅沟槽隔离结构上，包括：第一栅极、第一金属层和连接件，所述第一金属层位于所述第一栅极的两侧，所述第一栅极的每侧的第一金属层均沿着第一栅极的延伸方向被切断成两部分，第一栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻所述第一栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接；以及

第二栅极结构，位于导电性区域上，包括：第二栅极、第一金属层和连接件，所述第一金属层位于所述第二栅极的两侧，所述第二栅极的一端的两侧的第一金属层通过连接件连接，相邻所述第二栅极的不同端的两侧的第一金属层通过连接件连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极位于同一条线上，并且在这条线上间隔一段距离。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电性区域包括有源区或鳍片层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接件包括第一金属层，所述第一金属层连接所述第一栅极两侧的第一金属层，同时还连接到所述第一栅极上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接件包括通孔和第一金属层，所述第一金属层连接所述第一栅极两侧的第一金属层，同时，通孔将所述第一金属层和第一栅极电性连接。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极、第一金属层均呈条状，并且延伸的方向相同。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一栅极的每一侧，所述第一金属层沿着延伸方向被切断成两部分，并且两部分的面积相同。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，当所述第一栅极为至少两个时，所述第一栅极的长短不一，并且长的第一栅极和短的第一栅极间隔设置。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，当所述第二栅极为至少两个时，所述第二栅极的长短不一，并且长的第二栅极和短的第二栅极间隔设置。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述长的第一栅极于短的第二栅极位于同一条线上，短的第一栅极和长的第二栅极位于同一条线上。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一栅极结构，包括：第一下层金属互连线、第一上层金属互连线和连接件，所述第一上层金属互连线位于所述第一下层金属互连线的两侧，所述第一下层金属互连线的每侧的第一上层金属互连线均沿着第一下层金属互连线的延伸方向被切断成两部分，所述第一下层金属互连线的一端的两侧的第一上层金属互连线通过连接件连接，相邻所述第一下层金属互连线的不同端的两侧的上层金属互连线通过连接件连接；

第二栅极结构，包括：第二下层金属互连线、第二上层金属互连线和连接件，所述第二上层金属互连线位于所述第二下层金属互连线的两侧，所述第二下层金属互连线的一端的两侧的第二上层金属互连线通过连接件连接，相邻所述第二下层金属互连线的不同端的两侧的第二上层金属互连线通过连接件连接；

接导电性区域，与所述第二上层金属互连线连接；以及

焊盘，设置在所述接导电性区域的表面。