[发明专利]一种门电极发光三极管显示器

权利要求书

1.一种门电极发光三极管显示器，其特征在于，包括：

多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元；

驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；

所述子像素单元包括阳极、VDMOS器件、ITO/TiN薄膜层和发光单元，所述阳极设置在驱动背板上表面，且至少覆盖一个过孔，所述VDMOS器件位于阳极远离驱动背板的一侧，所述ITO/TiN薄膜层包括上下堆叠设置的ITO薄膜层和TiN薄膜层，所述TiN薄膜层设置在VDMOS器件上远离驱动背板的一侧，所述ITO薄膜层设置在TiN薄膜层上远离驱动背板的一侧，所述发光单元设置在ITO薄膜层上远离驱动背板的一侧。

2.根据权利要求1所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层和若干门电极，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述NPN型半导体层内设有若干独立的门电极，所述门电极包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极的结构为V型结构，所述栅极绝缘层包覆栅极的内外侧。

3.根据权利要求1所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，所述VDMOS器件包括NPN型半导体层和若干门电极，所述NPN型半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述NPN型半导体层内设有若干独立的门电极，所述门电极包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极为矩形结构，所述栅极绝缘层为矩形框架结构，且包覆在栅极的外周。

4.根据权利要求2所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，所述发光单元为RGBOLED发光层，所述红色子像素单元中的RGB OLED发光层的材料为红色OLED发光材料；所述绿色子像素单元中的RGB OLED发光层的材料为绿色OLED发光材料；所述蓝色子像素单元中的RGB OLED发光层的材料为蓝色OLED发光材料。

5.根据权利要求3所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，所述发光单元为LED发光单元，所述LED发光单元包括第一键合金属层、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二键合金属层，所述第一键合金属层键合生长在ITO/TiN薄膜层远离驱动背板一侧，所述第一半导体层位于所述第一键合金属层上表面；所述发光层设置在所述第一半导体层上表面；所述第二半导体层设置在所述发光层上表面，所述第二键合金属层位于第二半导体层远离驱动背板的一侧；所述红色子像素单元中的发光层发出红光，所述绿色子像素单元的发光层发出绿光，所述蓝色子像素单元中的发光层发出蓝光。

6.根据权利要求4所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，还包括第一薄膜封装层，所述第一薄膜封装层填充设置在各子像素单元之间，且第一薄膜封装层上表面与所述RGB OLED发光层上表面齐平。

7.根据权利要求5所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，还包括第一薄膜封装层，所述第一薄膜封装层填充设置在各子像素单元之间，包覆VDMOS器件、ITO/TiN薄膜层、LED发光单元和驱动背板上表面，且所述子像素单元中对应的第一薄膜封装层上均开有一个电极槽，所述子像素单元中的电极槽底部露出部分LED发光单元上表面。

8.根据权利要求6所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，还包括共阴极，所述共阴极位于第一薄膜封装层上远离驱动背板的一侧，且覆盖在RGB OLED发光层上。

9.根据权利要求7所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，还包括共阴极，所述共阴极设置在第一薄膜封装层远离驱动背板的一层，且覆盖电极槽，所述子像素单元中，共阴极通过电极槽与LED发光单元上表面接触。

10.根据权利要求8或9所述的门电极发光三极管显示器，其特征在于，还包括第二薄膜封装层和玻璃封装层，所述第二薄膜封装层生长在共阴极上远离驱动背板上表面的一侧，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在第二薄膜封装层远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于第二薄膜封装层的边框区域。