[发明专利]一种延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路和方法

权利要求书

1.一种延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，包括：

谐振电感、谐振电容、整流器模块、稳压电源模块、数字逻辑模块以及第一泄流单元，所述整流器模块的第一输出端通过储能电容C1接地，

整流器模块的第二输出端通过阈值单元组连接至低通滤波器，所述低通滤波器的输出端通过两个逻辑反相器连接至稳压电源模块的输入端，所述稳压电源模块的电源端连接至整流器模块的第一输出端，其输出端通过去耦合电容C3接地，所述稳压电源模块的输出端还连接至第一泄流单元，所述第一泄流单元的控制端连接至数字逻辑模块的输出端，所述数字逻辑模块控制所述稳压电源模块的状态切换，当无源被动式射频识别标签系统状态切换为掉电状态时，数字逻辑模块输出掉电使能信号至第一泄流单元，第一泄流单元导通将稳压电源模块输出节点上的电荷泄放至地，同时关断稳压电源模块，于是无源被动式射频识别标签的数字逻辑部分的电源电压下降，使得无源被动式射频识别标签系统状态机的掉电状态切换的要求得到了满足，下一次上电复位的时候，稳压电源模块的输出电压经历一个由低到高的转变过程，复位信号可以被正常触发，而所述储能电容C1上的电荷被保留，所述储能电容C1上保留的电荷用于当无源被动式射频识别标签系统再次复位进入工作状态时，延长射频识别标签的通讯距离。

2.根据权利要求1所述的延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，所述阈值单元组为至少一个串联连接的二极管，或者是至少一个串联连接的P型MOS管，或者是至少一个串联连接的N型MOS管，

所述至少一个二极管中，任一二极管阴极端与相邻二极管阳极端连接形成串联结构，第一个二极管阳极端连接至整流器模块的第二输出端为所述阈值单元组的输入端，最后一个二极管阴极端连接至低通滤波器，为所述阈值单元组的输出端；

所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至整流器模块的第二输出端为所述阈值单元的输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至低通滤波器，为所述阈值单元组的输出端,各P型MOS管的栅极均与漏极相连；

所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至整流器模块的第二输出端为所述阈值单元的输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至低通滤波器，为所述阈值单元组的输出端,各N型MOS管的栅极均与漏极相连。

3.根据权利要求1所述的延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，所述低通滤波器包括滤波电阻R1和滤波电容C2，所述滤波电阻R1一端连接至阈值单元组，另一端连接至滤波电容C2作为低通滤波器的输出端，所述滤波电容C2的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，所述第一泄流单元包括第一限流电阻R2和第一泄流开关管NM1，所述第一限流电阻R2一端连接至所述稳压电源模块的输出端，其另一端连接至第一泄流开关管NM1的漏极端，所述第一泄流开关管NM1的栅极端连接至数字逻辑模块的输出端，其源极端接地。

5.根据权利要求1所述的延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，所述低通滤波器的输出端连接至第二泄流单元，

所述第二泄流单元的控制端连接至数字逻辑模块的输出端，当稳压电源模块为上电状态时，数字逻辑模块输出上电使能信号至所述第二泄流单元，第二泄流单元断开，当稳压电源模块切换为掉电状态时，数字逻辑模块输出掉电使能信号至第二泄流单元，第二泄流单元导通将高于阈值单元组所限定的多余电荷释放掉。

6.根据权利要求5所述的延伸射频识别标签通讯距离的放电控制电路，其特征在于，所述第二泄流单元包括第二限流电阻R3和第二泄流开关管NM2，所述第二限流电阻R3一端连接至所述低通滤波器的输出端，其另一端连接至第二泄流开关管NM2的漏极端，所述第二泄流开关管NM2的栅极端连接至数字逻辑模块的输出端，其源极端接地。