[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

说明书

本公开实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，该显示面板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个矩阵分布的像素单元；每个所述像素单元包括一个晶体管、与所述晶体管连接的像素电极以及与所述像素电极相对设置的公共电极；所述晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极和漏极、半导体有源层；所述像素电极通过第一过孔与所述漏极连接；所述漏极包括金属或合金，所述像素电极为透明金属氧化物，所述金属或合金形成的漏极和所述透明金属氧化物形成的像素电极直接接触连接，接触区域没有所述金属或合金的氧化物膜层。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

背景技术

由于具由面积大、集成度高、分辨率高及功耗低等优点，TFT-LCD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)器件作为新一代显示装置的基础，受到越来越多的关注。在相关技术中，TFT-LCD显示面板的像素单元包括晶体管、像素电极和公共电极。晶体管的漏极和像素电极在连接时，容易因电阻过大而导致连接不良，进而引起显示面板的显示不良。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以降低显示面板发生显示不良的几率。具体技术方案如下：

本公开的第一方面的实施例提供了一种显示面板，包括：

衬底基板以及位于所述衬底基板上的多个矩阵分布的像素单元；

每个所述像素单元包括一个晶体管、与所述晶体管连接的像素电极以及与所述像素电极相对设置的公共电极；

所述晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极和漏极、半导体有源层；

所述像素电极通过第一过孔与所述漏极连接；

所述漏极包括金属或合金，所述像素电极为透明金属氧化物，所述金属或合金形成的漏极和所述透明金属氧化物形成的像素电极直接接触连接，接触区域没有所述金属或合金的氧化物膜层。

一些实施例中，部分像素单元中的公共电极还通过辅助电极线连接相邻像素单元中的公共电极；

其中，所述部分像素单元中的公共电极通过第二过孔与所述辅助电极线连接，所述相邻像素单元中的公共电极通过第三过孔与所述辅助电极线连接。

一些实施例中，所述公共电极为透明金属氧化物，所述辅助电极线包括金属或合金，所述金属或合金形成的辅助电极线和所述透明金属氧化物形成的公共电极直接接触连接，接触区域没有所述金属或合金的氧化物膜层。

一些实施例中，所述漏极的表面形成有第一刻蚀区域，所述第一刻蚀区域为在所述金属或合金的表面刻蚀掉第一预设厚度的薄层而形成，所述第一预设厚度为5nm至15nm，所述像素电极与所述第一刻蚀区域接触连接。

一些实施例中，所述第一预设厚度为10nm。

一些实施例中，所述辅助电极线的表面形成有第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域为在所述金属或合金的表面刻蚀掉第二预设厚度的薄层而形成，所述第二预设厚度为5nm至15nm，所述公共电极与所述第二刻蚀区域接触连接。

一些实施例中，所述第二预设厚度为10nm。

一些实施例中，所述第二过孔设置在所述部分像素单元中的公共电极的一个靠近所述相邻像素单元的转角位置，所述第三过孔设置在所述相邻像素单元的公共电极的靠近所述第二过孔的转角位置；

所述像素电极的两个转角位置形成有缺角，所述缺角用于避让所述辅助电极线。