[发明专利]一种晶体硅片的制绒方法及硅片

权利要求书

1.一种晶体硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供待处理硅片；所述待处理硅片包括正面和背面；

(2)将所述待处理硅片的背面浸入保护液，以在所述待处理硅片的背面形成保护层；

(3)将步骤(2)得到的待处理硅片整体浸入碱性溶液中，以去除待处理硅片正面的机械损伤层；

(4)将步骤(3)得到的待处理硅片整体浸入制绒液中，制绒后得到制绒硅片；

(5)将制绒硅片整体浸入含有HF的酸洗液中，以去除制绒硅片背面的保护层；

其中，所述保护液的制备方法为：

(1)将20～30份保护剂加入100～200份含有氟硅酸的A溶液中，在20～40℃下搅拌0.5～10h后过滤，得到B溶液；

(2)在100～200份的B溶液中加入30～40份H₃BO₃，反应得到保护液；

其中，所述保护剂选用硅胶、硅酸钠、硅酸钾中的一种或多种；

所述保护液中含有白炭黑，所述碱性溶液和所述制绒液不腐蚀所述保护层。

2.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，所述A溶液由SiF₄与水反应而得；或

由SiF₄、HF与水反应而得；或

由SiF₄、CaF₂、H₂SO₄和水反应而得；或

由氟硅酸溶于水而得。

3.如权利要求2所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，所述A溶液中，氟硅酸的浓度为30～35wt％；

所述保护液中白炭黑的浓度为0.1～0.8mmol/L。

4.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，步骤(2)包括：

(2.1)将待处理硅片浸入第一清洗液中清洗，所述第一清洗液为氢氟酸、盐酸、硝酸、硫酸、双氧水中的一种或多种；

(2.2)将第一清洗液清洗后的待处理硅片的背面浸入保护液，在30～50℃下沉积2～20min，以在所述待处理硅片的背面形成保护层。

5.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，步骤(3)中，所述碱性溶液为NaOH溶液或KOH溶液，其浓度为1～10wt％。

6.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，步骤(4)包括：

(4.1)将步骤(3)得到的待处理硅片浸入第二清洗液中清洗，所述第二清洗液为NaOH溶液、KOH溶液中的一种或两种与双氧水的混合溶液；

(4.2)将第二清洗液清洗后的硅片用水清洗；

(4.3)将水清洗后的待处理硅片浸入制绒液中，以在所述待处理硅片的正面形成绒面，得到制绒硅片。

7.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，所述制绒液为氢氧化钾或氢氧化钠、硅酸钠、异丙醇的混合溶液；

其中，氢氧化钾或氢氧化钠的浓度为1～3wt％，硅酸钠的浓度为0.1～1wt％，异丙醇的浓度为3～10vol％。

8.如权利要求1所述的晶体硅片的制绒方法，其特征在于，步骤(5)包括：

(5.1)将制绒硅片用水清洗；

(5.2)将水洗后的制绒硅片整体浸入第三清洗液中清洗；其中，第三清洗液为中含有HCl、HF、O₃中的一种或多种；

(5.3)将第三清洗液清洗后的制绒硅片的整体浸入含有HF的酸洗液中，反应100～300s，以去除制绒硅片背面的保护层以及正面的SiO₂层。

9.一种硅片，其特征在于，其由权利要求1～8任一项所述的晶体硅片的制绒方法进行制绒后得到。