[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括:

衬底，具有从所述衬底突出的多个第一鳍片；

栅极线，跨越所述多个第一鳍片且包括：

栅极电极层；以及

栅极电介质层，设置在所述栅极电极层和所述多个第一鳍片之间；以及

应力层，仅设置在所述多个第一鳍片的侧表面上和所述衬底的最顶表面上，其中所述应力层的材料不同于所述多个第一鳍片的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述栅极线和所述多个第一鳍片之间的氧化物层，其中所述氧化物层包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述多个第一鳍片的所述最顶表面上，所述第二部分设置在所述多个第一鳍片的所述侧表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分包括不同的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分包括不同的厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二部分直接接触设置在所述多个第一鳍片的所述侧表面上的所述应力层，并且所述第一部分直接接触所述多个第一鳍片。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二部分包括与所述应力层相同的元素。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括从所述衬底突出的所述多个第二鳍片，其中所述多个第二鳍片的最大高度大于所述多个第一鳍片的最大高度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括围绕所述多个第一鳍片和所述多个第二鳍片的浅沟槽隔离，其中所述浅沟槽隔离位于设置在所述衬底的所述最顶表面上的所述应力层上。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述应力层包括硅锗或锗。

10.一种形成半导体器件的方法，包括:

提供衬底，所述衬底具有从所述衬底突出的多个第一鳍片；

仅在所述多个第一鳍片的侧表面上和所述衬底的最顶表面上形成应力层，其中所述应力层的材料不同于所述多个第一鳍片的材料；以及

形成跨越所述多个第一鳍片的栅极线，所述栅极线包括栅极电极层和栅极电介质层，所述栅极电介质层设置在所述多个第一鳍片和所述栅极电极层之间的栅极电介质层。

11.根据权利要求10所述的形成半导体器件的方法，还包括：

形成从所述衬底突出的所述多个第二鳍片；

在所述多个第二鳍片的表面上形成应力材料层；以及

在形成所述应力材料层之后，进行蚀刻工艺去除部分所述多个第二鳍片，以形成沟槽，其中所述多个第一鳍片形成在所述沟槽内。

12.根据权利要求11所述的形成半导体器件的方法，其中所述蚀刻工艺还包括去除设置在所述多个第二鳍片的所述最顶表面上的所述应力材料层，以形成所述应力层。

13.根据权利要求11所述的形成半导体器件的方法，还包括：

在形成所述应力材料层之后，在所述应力材料层上形成浅沟槽隔离以包围所述多个第二鳍片。

14.根据权利要求13所述的形成半导体器件的方法，其中在形成所述浅沟槽隔离之后，在所述沟槽内形成栅极线。

15.根据权利要求10所述的形成半导体器件的方法，还包括通过原子层沉积工艺或原位蒸汽生成工艺以形成氧化物层，其中所述氧化物层形成在所述栅极线和所述多个第一鳍片之间。