[发明专利]阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列设置的子像素，每个所述子像素包括：

衬底；

第一电极，所述第一电极设置在所述衬底的一侧；

第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述第一电极和所述第二电极中的一个作为像素电极，另一个作为公共电极，

其中，所述第二电极包括多条间隔设置的第二子电极，所述第二子电极的宽度为W，相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为S，

不同所述子像素的W/S值的差值为5％～15％；

定义相邻四个所述子像素为一个像素组，每个所述像素组包括呈两行两列设置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素，所述第一子像素和所述第二子像素同列设置，所述第三子像素和所述第四子像素同列设置，所述第一子像素和所述第三子像素同行设置，所述第二子像素和所述第四子像素同行设置，

其中，所述第一子像素的第一TFT结构位于所述第一子像素远离所述第二子像素的边缘；所述第二子像素的除第二栅极之外的第二TFT结构位于所述第三子像素和所述第四子像素之间，所述第二栅极位于所述第二子像素远离所述第一子像素的边缘；所述第三子像素的除第三栅极之外的第三TFT结构位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，所述第三栅极位于所述第三子像素靠近所述第四子像素的边缘；所述第四子像素的第四TFT结构位于所述第四子像素远离所述第三子像素的边缘。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一子像素和所述第二子像素中，所述第二电极满足以下条件至少之一：

所述第二子电极的宽度为1～5微米；

相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为2.5～8微米。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一子像素和所述第二子像素中，W/S值为20％～40％。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第三子像素和所述第四子像素中，所述第二电极满足以下条件至少之一：

所述第二子电极的宽度为1～5微米；

相邻两个所述第二子电极之间狭缝的间距为2.5～8微米。

5.根据权利要求1或4所述的阵列基板，其特征在于，在所述第三子像素和所述第四子像素中，W/S值为30％～50％。

6.根据权利要求2或4所述的阵列基板，其特征在于，所述每个所述第二子电极的宽度与与其一侧的所述狭缝间距之和相同。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述每个所述第二子电极的宽度与与其一侧的所述狭缝间距之和为5～10微米。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧；

有源层，所述有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧；

栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述衬底的一侧，且覆盖有源层；

栅极，所述栅极设置在栅绝缘层远离所述衬底的一侧；

层间介质层，所述层间介质层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述栅极；

源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧，且通过过孔与所述有源层电连接；

平坦层，所述平坦层设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧，且覆盖所述源极和所述漏极，其中，所述第二电极设置在所述平坦层远离所述衬底的一侧。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～8中任一项所述的阵列基板。