[发明专利]一种创新结构的毫米波CMOS数控衰减器

权利要求书

1.一种创新结构的毫米波CMOS数控衰减器，其特征在于，包括有源增益调谐部分和无源增益调谐部分；

所述无源增益调谐部分提供大衰减量实现增益的粗调节，有2个增益控制位，实现24dB的调节范围；

所述有源增益调谐部分提供小衰减量实现增益的细调节，并且有6个控制位可实现7.5dB的增益调节范围，其控制状态提升至64个，引出冗余的状态位保证温度与工艺角变化时增益控制精度的精度；

所述有源增益调谐部分和无源增益调谐部分之间采用匹配网络进行连接；

所述有源增益调谐部分包括以下部分：

RF_in+通过电感L₅连接至晶体管M₁栅极，V_bias通过电阻R₁连接至晶体管M₁栅极；RF_in-通过电感L₆连接至晶体管M₂栅极，V_bias通过电阻R₂连接至晶体管M₂栅极；晶体管M₁、M₂源极相连至地；晶体管M₁漏极通过电感L₃连接至晶体管M₃源极；V_DD通过电感L₁连接至晶体管M₃漏极，RF_out-通过电容C₁连接至晶体管M₃漏极；晶体管M₂漏极通过电感L₄连接至晶体管M₄源极；V_DD通过电感L₂连接至晶体管M₄漏极，RF_out+通过电容C₂连接至晶体管M₄漏极；晶体管M₀₁、M₀₂、M₀₃、M₀₄构成一个完整的增益控制位bit0；bit0信号通过第一反相器(1)连接至晶体管M₀₁栅极，通过第四反相器(4)连接至晶体管M₀₄栅极；晶体管M₀₁栅极通过第二反相器(2)连接至晶体管M₀₂栅极；晶体管M₀₁、M₀₂、M₃源极相连；晶体管M₀₂、M₃漏极相连；晶体管M₀₄栅极通过第三反相器(3)连接至晶体管M₀₃栅极；晶体管M₀₃、M₀₄、M₄源极相连；晶体管M₀₃、M₄漏极相连；晶体管M₃栅极、晶体管M₄栅极、晶体管M₀₁漏极、晶体管M₀₄漏极连接至V_DD。