[发明专利]存储单元及其操作方法

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

写位线；

写入晶体管，连接在所述写位线与第一节点之间；以及

读取晶体管，通过所述第一节点连接至所述写入晶体管；

其中，所述读取晶体管包括铁电层，并且所述写入晶体管被配置为通过调整所述读取晶体管的极化状态的写位线信号来设置所述存储单元的存储数据值，所述极化状态与所述存储数据值相对应。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述写入晶体管包括：

第一漏极端子，连接至所述写位线；

第一源极端子，连接至所述第一节点和所述读取晶体管；以及

第一栅极端子，连接至写字线。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述读取晶体管包括：

第二漏极端子，连接至第二节点；

第二源极端子，连接至第三节点；以及

第二栅极端子，位于所述铁电层上，并且通过所述第一节点连接至所述第一源极端子。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其中，

所述第二漏极端子通过所述第二节点连接至读字线；以及

所述第二源极端子通过所述第三节点连接至读位线。

5.一种存储单元，包括：

写位线；

写字线；

第一类型的写入晶体管，连接至所述写位线、所述写字线和第一节点，所述写入晶体管被配置为响应于写字线信号而被启用或禁用；以及

所述第一类型的读取晶体管，所述读取晶体管包括：

第一栅极端子，通过所述第一节点连接至所述写入晶体管；和

铁电层，具有与所述存储单元中存储数据值相对应的极化状态；

其中，所述写入晶体管被配置为通过调节所述铁电层的所述极化状态的所述写字线信号来设置所述存储单元中的所述存储数据值。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其中，

所述写入晶体管包括氧化物沟道区；以及

所述读取晶体管包括硅沟道区。

7.根据权利要求5所述的存储单元，其中，

所述写入晶体管包括氧化物沟道区；以及

所述读取晶体管包括另一氧化物沟道区。

8.一种操作存储单元的方法，所述方法包括：

执行所述存储单元的写操作，执行所述存储单元的写操作包括：

在写位线上设置写位线信号，所述写位线信号对应于所述存储单元中的存储数据值；

响应于写字线信号而导通写入晶体管，从而将所述写位线电连接至读取晶体管的栅极；

通过调节所述读取晶体管的极化状态从而导通或截止读取晶体管，来设置存储单元的存储数据值，所述极化状态对应于所述存储单元的所述存储数据值；和

响应于所述写字线信号而使所述写入晶体管截止，从而使所述写位线与所述读取晶体管的栅极彼此电断开。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

执行所述存储单元的读取操作，执行所述存储单元的读取操作包括：

将所述读位线的电压预放电为第一电压，或者将所述读位线的电压预充电为与所述第一电压不同的第二电压；

将读字线的电压从第三电压调整为第四电压；

响应于将所述读字线的电压从所述第三电压调整到所述第四电压来感测所述读位线的电压，从而输出所述存储单元中的所述存储数据值；和

将所述读字线的电压从所述第四电压调整为所述第三电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述读字线的电压从所述第三电压调整为所述第四电压包括：

响应于第一控制信号或所述读字线的电压为所述第四电压而导通第一晶体管，从而将所述读位线电连接至所述读取晶体管的源极。