[发明专利]一种大功率放电管芯片制造工艺

权利要求书

1.一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：扩散前处理；

S2：氧化；

S3：单向光刻；

S4：低温氧化；

S5：离子注入；

S6：氧化表面处理；

S7：光刻处理；

S8：测试。

2.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。

3.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S2中把扩散前处理的硅片在1150℃的氧化炉中氧化形成一层氧化层。

4.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S3中把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层等工序，在正面刻出一次扩散图形。

5.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S4中光刻完成后，对硅片表面再次进行低温氧化形成很薄的氧化层。

6.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S5中低温氧化完成后对硅片表面进行离子注入，然后注入磷，磷利用120h推结成型。

7.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S6中氧化表面处理具体包括以下步骤：

第一，对硅片表面进行硼氧化和镓扩散，在硅片表面，用硼涂布源工艺进行涂布，在高温时，沉积100分钟左右，可得到合适的低浓度沉积层，借助后道推进流程，将稼深度推到本产品所需的合适深度，形成稼层区；

第二，进行单向发射区光刻，在正面刻出一次扩散图形；

第三，磷预扩，对硅表面进行气态磷预扩，然后漂净氧化层；

第四，硼预扩，对硅表面进行硼涂布，在高温时，沉积60-80min，然后漂净氧化层；

第五，发射区扩散，硼氧化。

8.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S7中光刻处理包括以下步骤：

第一，在硅表面进行沟槽光刻；

第二，在硅表面接触区进行光刻；

第三，利用高温蒸发金属；

第四，金属光刻。

9.根据权利要求1所述的一种大功率放电管芯片制造工艺，其特征在于，所述S8中完成芯片制作后，利用芯片测试仪器对芯片进行测试。