[发明专利]一种低钴单晶正极材料的制备方法

权利要求书

1.一种低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，包括：

将镍钴锰前驱体、氧化性锂盐、添加剂一混合，一次焙烧，得到单晶正极材料中间产物。

2.根据权利要求1所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述氧化性锂盐中的锂的摩尔数，和镍钴锰前驱体中镍、钴、锰总摩尔数的摩尔比为(1.02～1.3)：1。

3.根据权利要求1所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述氧化性锂盐选自高氯酸锂、高锰酸锂、过氧化锂、超氧化锂、亚硝酸锂、亚硫酸锂、硫代硫酸锂、铋酸锂、次氯酸锂、亚氯酸锂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征于，所述镍钴锰前驱体中的镍、钴、锰的摩尔比满足：0.30≤x≤0.95，0≤y≤0.1，0≤z≤0.4，x+y+z＝1。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂一中的元素包括Mg、Ca、Sr、Ba，Sn、B、Al、Ga、Bi、Si、Na、Ce、In、S、F、P、Sb、C、Rh、Ti、Zr、Mo、V、W、Nb、Y、Ta、Cr、La、Ce、Pr、Mg、Ca中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂一占镍钴锰前驱体和氧化性锂盐总重量的0～10wt％。

7.根据权利要求1所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述一次焙烧后，得到氧化性锂盐改性中间产物，加入添加剂二、二次焙烧，得到低钴单晶正极材料。

8.根据权利要求7所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂二占氧化性锂盐改性中间产物的0～10wt％。

9.根据权利要求7所述的低钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂二中的元素包括Mg、Ca、Sr、Ba，Sn、B、Al、Ga、Bi、Si、Na、Ce、In、S、F、P、Sb、C、Rh、Ti、Zr、Mo、V、W、Nb、Y、Ta、Cr、La、Ce、Pr、Mg、Ca中的至少一种。

10.一种根据权利要求1～9任意一项所述的低钴单晶正极材料的制备方法的应用，其特征在于，用于制备低钴单晶正极材料。