[发明专利]高电压应用中的浮栅器件

权利要求书

1.一种结构，包括：

栅极结构，其包括栅极电介质材料和栅电极；以及

垂直堆叠的电容器，其位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，位于所述栅电极上方的所述垂直堆叠的电容器包括一个或多个布线层。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器包括多个垂直堆叠的布线层。

4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器通过互连而电连接到所述栅电极。

5.根据权利要求2所述的结构，其中，所述栅极电介质材料的厚度为或更大，并且所述栅极电介质材料的厚度与后段制程电介质材料的厚度之比为1:1至1:4。

6.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器具有与所述栅极结构相同的覆盖区。

7.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器具有小于所述栅极结构的覆盖区。

8.根据权利要求2所述的结构，其中，所述栅极结构是浮栅器件。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器包括通过所述垂直堆叠的电容器施加的控制栅电压和浮栅电压(fg)。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器提供通过所述垂直堆叠的电容器的各种布线来控制的电容耦合，这引起从所述栅极结构到与所述栅电极接触的衬底或端子的电荷转移。

11.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器是金属-氧化物-金属(MOM)电容器。

12.根据权利要求2所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器是交替极性金属-氧化物-金属(APMOM)电容器，其包括在正负之间交替的位于同一布线层级上的布线。

13.一种结构，包括：

衬底；

浮栅结构，其位于所述衬底上并包括栅极电介质材料和栅电极；以及

垂直堆叠的电容器，其位于所述浮栅结构上方，并且具有与所述浮栅结构相同或小于所述浮栅结构的覆盖区。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器包括多个垂直堆叠的布线层。

15.根据权利要求13所述的结构，其中，所述栅极电介质材料的厚度为或更大，并且所述栅极电介质材料的厚度与后段制程电介质材料的厚度之比为1:1至1:4。

16.根据权利要求13所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器包括通过所述垂直堆叠的电容器施加的控制栅电压和浮栅电压(fg)。

17.根据权利要求13所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器提供通过所述垂直堆叠的电容器的各种布线来控制的电容耦合，这引起从所述栅极结构到与所述栅电极接触的衬底或端子的电荷转移。

18.根据权利要求13所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器是金属-氧化物-金属(MOM)电容器。

19.根据权利要求13所述的结构，其中，所述垂直堆叠的电容器是交替极性金属-氧化物-金属(APMOM)电容器，其包括在正负之间交替的位于同一布线层级上的布线。

20.一种方法，包括：

在衬底上形成栅极结构；以及

将电容器形成为位于所述栅极结构的垂直上方并与所述栅极结构电连接。