[发明专利]一种显示面板及其制备方法、电子设备在审

专利信息
申请号: 202110584752.7 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN113314682A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 屈财玉;郝艳军;樊宜冰;张慧娟;盖人荣;刘政 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 及其 制备 方法 电子设备
【说明书】:

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、电子设备,其中,一种显示面板,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上阵列排布的第一OLED单元和第二OLED单元,所述第一OLED单元包括阳极、阴极以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层,所述反射层位于平坦层中,所述阳极为透明电极,所述阴极为半透明电极。本申请实施例提供的显示面板,在第一OLED单元的底部设置反射层,以实现顶发射功能,为设置发射层的第二OLED单元实现底发射功能,在同一显示面板上,排布设置第一OLED单元和第二OLED单元,形成双面显示面板。本申请的显示面板简化双面显示面板中OLED制备流程和工艺,降低生产成本。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法、电子设备。

背景技术

近年来,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)由于具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点而受到更多的关注。降低OLED制造成本、扩展OLED新应用场景是提升产品竞争力的关键。

适用于中小尺寸的OLED显示面板中的发光元件通常都使用蒸镀工艺制备。如现行蒸镀量产线上的蒸镀设备一般至少会包括8个有机腔室(OC,Organic Chamber)和1个金属腔室(MC,Metal Chamber),用于蒸镀HTL(Hole Inject Layer;空穴注入层)、R/G/B Prime(电子阻挡层)、R/G/B EML(发光层)、HBL(Hole Blocking Layer;空穴阻挡层)、ETL(Electron Transport Layer;电子传输层)、Cathode(阴极)、CPL(Capping Layer;光提取层)等材料。

现行蒸镀量产线上会使用至少5张精细掩膜版(FMM,Fine Metal Mask)蒸镀R/G/B电子阻挡层与发光层,以满足R/G/蓝色对微腔(Micro Cavity)腔长的不同需求,满足R/G/B发光层对不同能级、迁移率的电子阻挡层材料的需求。昂贵的蒸镀机设备和FMM备件使得OLED面板的生产成本增大,减少蒸镀腔室和Mask的使用势必会降低生产成本。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种显示面板及其制备方法、电子设备,可以实现双面显示,并且能够降低OLED的生产成本。

第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上阵列排布的第一OLED单元和第二OLED单元,所述第一OLED单元包括阳极、阴极以及位于所述阳极背离所述阴极的一侧设置的反射层,所述反射层与所述阳极间隔设置,所述阳极为透明电极,所述阴极为半透明电极。

进一步地,所述第一OLED单元和所述第二OLED单元沿第一方向和/或第二方向依次交替设置。

优选地,所述第一OLED单元和所述第二OLED单元均包括发光元件以及设置在所述发光元件下方的阵列基板,所述发光元件包括层叠设置的所述阴极、发光层、所述阳极,所述阵列基板包括平坦层以及设置在所述平坦层上方的像素界定层,所述像素界定层上设置有用于形成所述发光元件的开口。

进一步地,所述反射层上设置有对应所述开口位置的反射图案,所述开口在所述反射层的正投影位于所述反射图案的范围内。

进一步地,所述发光元件包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,所述红色发光层到所述反射层之间的距离、所述绿色发光层到所述反射层之间的距离、所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离依次递减。

优选地,所述红色发光层到所述反射层之间的距离为185-415nm;所述绿色发光层到所述反射层之间的距离为140-390nm;所述蓝色发光层到所述反射层之间的距离为95-345nm。

优选地,所述反射层到所述阳极的距离大致相等。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110584752.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top