[发明专利]一种铜薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110584597.9 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113293416B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晓伟;杨宝朔;艾远 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/34 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 齐晨洁 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：对导电基底进行打磨抛光、清洗和干燥；
步骤S2：对导电基底进行改性处理，改性处理方式为：在氮气或氩气中，用氙灯以1~5J/cm2的能量密度以平行光方式照射，或在500~700℃下加热处理，改性处理时间为1~2h；
步骤S3：改性处理完成后，在铜盐电解液中，用电沉积方法在导电基底表面沉积得到铜薄膜。
2.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电基底尺寸选为：长1~5cm，宽1~5cm，厚1~5mm，材料选为铜、铂、金中的一种。
3.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述铜盐电解液中，铜离子浓度为0.1~0.5mol/L，促进剂浓度为0~1mol/L。
4.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜盐电解液中的铜盐为CuCl2、CuSO4或Cu(NO3)2的一种或几种。
5.根据权利要求3所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，所述促进剂为NaCl、KCl、Na2SO4、K2SO4中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的铜薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，电沉积包括如下过程：
过程S3-1：以直径2~10mm的铜棒为阳极、所述导电基底为阴极，竖直插入铜盐电解液中，阳极与阴极的间距为1~5cm；
过程S3-2：以电压5~10V、电流密度0.1~0.5A/cm2进行电沉积，电解液温度30~50℃，沉积时间10~30min，电沉积完成后，在导电基底表面得到铜薄膜。
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