[发明专利]一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法在审
| 申请号： | 202110583814.2 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113308733A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 寇文辉;胡晓亮;苗利刚;李战国;邵奇 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/16;C30B28/14;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 郑州豫鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 41178 | 代理人： | 轩文君 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 石英 舟粘接 poly si 化学 气象 沉积 工艺 方法 | ||
1.一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，将硅片放置石英舟上进入反应腔内生长1/2目标膜厚的POLY-SI，随后退出反应腔在在氮气保护状态下冷却，冷却结束后，通过机械手将硅片从石英舟上取下再放回石英舟上，再次将石英舟送入反应腔内进行剩下1/2目标膜厚的POLY-SI的生长。
2.根据权利要求1所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，所述硅片冷却过程中所处环境的氧含量＜10ppm，该氧含量的控制，是通过氮气保护来实现的。
3.根据权利要求2所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，所述氮气流量为400SLM。
4.根据权利要求1所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，所述氮气使用限流片进行流量控制，氮气纯度99.999%。
5.根据权利要求1所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，所述硅片从反应腔退出后，在室温条件下冷却，冷却至室温后，通过机械手将硅片从从石英舟上取下后放回石英舟。
6.根据权利要求2所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，对硅片所处环境氧含量进行实时监控，当氧含量上升超出控制线时，立即自动控制通入氮气对环境中的氧进行吹扫。
7.根据权利要求1所述的一种改善硅片与石英舟粘接的POLY-SI化学气象沉积工艺方法，其特征在于，该反应在恒温车间内进行，车间温度为22±2摄氏度。
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