[发明专利]一种嵌入式扇出型封装结构及其加工方法

说明书

本发明公开了一种嵌入式扇出型封装结构及加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层和芯片，玻璃基板至少设置两片，相邻玻璃基板之间采用胶接连接，相邻玻璃基板之间布置有再布线层并在预电气连接位置打有通孔，通孔内填充金属，玻璃基板设置有芯片安装孔，芯片设置在芯片安装孔内，并与再布线层焊接，芯片安装孔内填充环氧塑封料。本发明所用玻璃基板表面粗糙度低，可以实现高密度、高精度布线层，且具有优良且可调的介电性能和机械性能，能够实现多层芯片集成封装。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种嵌入式扇出型封装结构及其加工方法。

背景技术

自摩尔定律提出以来，集成电路遵循着摩尔定律飞速发展，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而随着集成电路的尺寸已经可以缩小到纳米级别，并逐渐接近其物理极限时，缩小特征尺寸的方法已经无法进一步提高集成电路的性能和功能。但是，微电子市场的需求仍在持续增长，从而集成电路的发展面临着一系列的问题与挑战。

新兴的扇出型封装结构可以解决上述问题。该项技术用晶圆凸点代替了引线键合，使用引线框代替了封装基板，大大减少了封装成本，提高了引脚数量，获得了更小的封装外形。扇入封装其所有的凸点都必须在芯片尺寸范围内，且凸点数目受制于芯片的大小。而扇出型封装尺寸不再依赖于芯片尺寸，而是可以制作成需要的大小，这意味着凸点数目不再受限，因引脚数目制约芯片封装的问题迎刃而解。

现有扇出型封装结构一般基板采用复合树脂结构，表面粗糙度高，高密度、高精度布线困难，且不具备优良的介电性能和机械性能，使用范围受限，无法实现多层芯片的集中封装，如何提供一种能够集中封装的嵌入式扇出型封装结构及其加工方法是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种嵌入式扇出型封装结构及其加工方法。能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，玻璃基板表面粗糙度低，可以实现高密度、高精度布线层，应用范围广，可以实现多层芯片集成封装，具有良好的应用前景。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种嵌入式扇出型封装结构，包括玻璃基板、再布线层和芯片，所述玻璃基板至少设置两片，相邻玻璃基板之间采用胶接连接，所述相邻玻璃基板之间布置有所述再布线层并在预电气连接位置打有通孔，通孔内填充金属，所述玻璃基板设置有芯片安装孔，所述芯片设置在芯片安装内，并与所述再布线层焊接，芯片安装孔内填充环氧塑封料。

进一步的，所述各层玻璃基板芯片布置时为交错布置。

进一步的，所述再布线层包括Ti-Cu层和镀铜层，所述镀铜层电镀在所述Ti-Cu层的表面。

进一步的，所述再布线层外边缘处设置有引出线路，所述引出线路位置和玻璃基板外表面打孔位置焊有若干焊锡球。

一种嵌入式扇出型封装结构的加工方法，包括：

至少设置两块玻璃基板；

在一块所述玻璃基板预电气连接位置打通孔并填充金属，上表面预先布置所述再布线层；

另一块所述玻璃基板预电气连接位置打好通孔并填充金属；

两块所述玻璃基板胶接连接，再布线层外边缘处设置有引出线路；

在所述玻璃基板预放置所述芯片位置打好芯片安装孔，将芯片与再布线层焊接，芯片安装孔内填充环氧塑封料。

进一步的，在所述玻璃基板胶接之前或之后进行所述玻璃基板预电气连接位置打孔。

进一步的，所述玻璃基板的开孔方式均为激光开孔，所述玻璃基板的预电气连接和引出线路位置焊有焊锡球。