[发明专利]一种氮化硼表层覆盖的NV色心金刚石、其制备方法和应用有效
申请号: | 202110581430.7 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN113046725B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 李辉;申胜男;熊佳豪;沈威 | 申请(专利权)人: | 武汉大学深圳研究院 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/27 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 李炜 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 表层 覆盖 nv 色心 金刚石 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮化硼表层覆盖的NV色心金刚石的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:选择晶面弯曲较小的HTHP或者MPCVD金刚石(111)面衬底进行预处理去除表面杂质;
S2:将经过表面预处理后的金刚石(111)面衬底放入MPCVD腔室,控制衬底温度、MPCVD设备功率和甲烷/氢气流量比,腔室气压为100~500torr,通入流量为1~5sccm的氧气,进行金刚石(111)的生长;
S3:金刚石生长至厚度为0.4~0.6mm,通入流量为1~10sccm的氮气,控制衬底温度和MPCVD设备功率,腔室压强为100~500torr,掺入氮元素,制成含有N元素的金刚石;
S4:将含有N元素的金刚石在1000~1100℃进行真空退火得到含有NV色心的金刚石;
S5:通过原子层沉积设备,沉积温度300 ~350℃,腔室气压100~500torr,首先在含有NV色心的金刚石表面用N原子束沉积一层N原子,然后再用B原子束沉积一层B原子,形成N-B终端金刚石表面;
S6:通过原子层沉积法,控制温度在250 ~350℃,腔室气压100~500torr,将形成的N-B终端金刚石表面再用H原子束或F原子束沉积一层H原子或F原子,形成N-B-H或N-B-F覆盖的金刚石。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,控制衬底温度高于900℃,MPCVD设备的微波功率为5~10kW,甲烷/氢气流量比为1%~10%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,温度高于900℃,MPCVD设备的微波功率为5~10kW。
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