[发明专利]一种异质结中长波红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结中长波红外探测器的制备方法，其特征在于所述探测器包括Si衬底、WS₂/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS₂/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS₂/石墨烯量子点异质结上，所述制备方法包括如下步骤：

步骤一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS₂薄膜，磁控溅射工艺参数如下：Ar气流量为40~45sccm，压强为1.5~1.8Pa，功率为150~180W，溅射时间为10~30min；

步骤二、制备WS₂/石墨烯量子点异质结：使用匀胶机在WS₂薄膜上旋涂石墨烯量子点水溶液，石墨烯量子点水溶液的浓度为1mol/L，得到WS₂/石墨烯量子点异质结；

步骤三、利用磁控溅射技术在WS₂/石墨烯量子点异质结表面沉积Au电极，磁控溅射的功率为30~50W，压强为0.5~1.0 Pa，氩气流量为20~40sccm，溅射时间为1~2 min。

2.根据权利要求1所述的异质结中长波红外探测器的制备方法，其特征在于所述步骤二中，控制匀胶机转速为2000~4000转/分，旋涂时间为10~30s。

3.根据权利要求1所述的异质结中长波红外探测器的制备方法，其特征在于所述Si衬底的厚度为1μm。

4.根据权利要求1所述的异质结中长波红外探测器的制备方法，其特征在于所述WS₂/石墨烯量子点异质结的厚度为1.2μm。

5.根据权利要求1所述的异质结中长波红外探测器的制备方法，其特征在于所述金电极的厚度为50μm，电极之间间距2mm。