[发明专利]一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机

说明书

本发明公开一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，由延迟锁相环、数据选择器和谐波抑制边沿合成器组成，延迟锁相环用于产生具有固定相位差的低频信号，数据选择器进行数据调制，选择通过的多路低频信号送到基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器中进行N倍频，通过电容耦合实现阶梯波的幅度和相位加权，得到具有谐波抑制功能的阶梯波载波，以实现抑制高频信号的三次和五次谐波。本发明所述的基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，由于电路不受输入频率限制，可适用于宽频带；且电路结构简单，通用性强，便于集成化。

技术领域

本发明涉及边沿合成发射机技术领域，特别是涉及一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机。

背景技术

通常而言，收发系统传输的信号中除了基频信号外，还会存在其他谐波分量，比如三次谐波和五次谐波。这些谐波分量往往会对其他信道的信号产生干扰，而且会影响输出信号的质量，也会占用系统的功耗。此外，如果信号经过了非线性模块，由于非线性效应的影响，谐波的存在会严重损害需要的信号，比如三阶非线性模块导致的三阶交调现象。传统的发射机都会通过特定的滤波网络来滤除谐波，这些滤波网络往往会牺牲很大的面积。

边沿合成器是收发系统中常见的模块，用于将多组低频信号进行边沿合成，倍频为高频信号。传统的边沿合成器合成的高频信号波形往往为方波，方波中含有大量的高次谐波分量，如果不加以滤除，会对系统的性能产生很大的影响。

因此，为解决发射机中传统边沿合成器存在的谐波问题，尤其是三次谐波分量和五次谐波分量，迫切需要一种新型的边沿合成发射机，既可以实现N倍频的功能，又可以抑制合成波形的谐波分量。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机。

为实现本发明的目的所采用的技术方案是：

一种基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，由延迟锁相环、数据选择器和谐波抑制边沿合成器组成，延迟锁相环用于产生具有固定相位差的低频信号，数据选择器进行数据调制，选择通过的多路低频信号送到基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器中进行N倍频，通过电容耦合实现阶梯波的幅度和相位加权，得到具有谐波抑制功能的阶梯波载波，以实现抑制高频信号的三次和五次谐波。

其中，所述谐波抑制边沿合成器包括三组边沿耦合器；每一组边沿耦合器由N路级联的PMOS管、N路级联的NMOS管构成；

每路级联的PMOS管包括第一PMOS管与第二PMOS管，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相接，N路级联的PMOS管中N个第一PMOS管的源极相接后接电源；

每路级联的NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管；第二NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极相接，N路级联的NMOS管中的第一NMOS管的源极相接后接地，N路级联的NMOS管中的第二NMOS管的漏极以及N路级联的PMOS管中N个第二PMOS管的漏极相接后通过一个电容接信号输出端OUT。

其中，三组边沿耦合器中的三个电容的比值为

本发明的基于电容耦合的谐波抑制边沿合成发射机，通过电路结构合成特定的阶梯波来抑制三次和五次谐波，且具有宽频带的优势，不受输入频率的限制，具有较好的应用前景。

附图说明

图1a-图1b分别是传统边沿合成器和基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器的工作时序图；

图2是基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器的电路示意图；

图3是本发明实施例边沿合成电路的电路示意图；

图4是本发明实施例的基于电容耦合的谐波抑制发射机的示意框图；

图5是本发明基于电容耦合的谐波抑制边沿合成器的工作状态图；