[发明专利]一种晶圆金属层的腐蚀方法和装置

权利要求书

1.一种晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，包括：

采用溅射工艺或蒸发工艺在晶圆表面沉积一定厚度的金属层；

采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案；

采用腐蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的金属层进行腐蚀。

2.根据权利要求1所述的晶圆金属层的沉积腐蚀，其特征在于，所述金属层的厚度大于2.5微米。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案，包括：

对金属层表面进行增粘处理，并在增粘处理后的金属层表面涂覆光刻胶；

将涂覆有光刻胶的晶圆依次进行烘烤、曝光和显影，得到光刻胶掩膜图案。

4.根据权利要求3所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述对金属层表面进行增粘处理，包括：

在所述金属层表面粘附增粘剂。

5.根据权利要求3所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述在增粘处理后的金属层表面涂覆光刻胶，包括：

采用涂胶工艺在增粘处理后的金属层表面涂覆粘稠状的光刻胶；

其中，所述光刻胶的厚度均匀，且厚度大于所述金属层厚度的1.2倍。

6.根据权利要求3所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述将涂覆有光刻胶的晶圆依次进行烘烤、曝光和显影，得到光刻胶掩膜图案，包括：

按照预设的烘烤温度和烘烤时间，采用烘烤工艺将涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；

采用曝光工艺对烘烤后的晶圆进行曝光；

使用显影工艺对晶圆表面进行显影，使曝光区域的光刻胶溶解；

采用清洗液对晶圆表面进行清洗，得到光刻胶掩膜图案。

7.根据权利要求1所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案之后，所述方法还包括：

采用坚膜工艺对晶圆表面进行处理，使光刻胶固化。

8.根据权利要求1所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述采用腐蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的金属层进行腐蚀，包括：

将所述光刻胶掩膜图案作为掩膜，使用腐蚀液对金属层进行腐蚀，将刻胶掩膜图案转移至金属层，得到带有光刻胶掩膜图案的金属层。

9.根据权利要求6所述的晶圆金属层的腐蚀方法，其特征在于，所述烘烤温度为110℃～120℃；

所述烘烤时间为4min～6min。

10.一种晶圆金属层的腐蚀装置，其特征在于，包括：

沉积模块，用于采用溅射工艺或蒸发工艺在晶圆表面沉积一定厚度的金属层；

光刻模块，用于采用光刻工艺在沉积有金属层的晶圆表面形成光刻胶掩膜图案；

腐蚀模块，用于采用腐蚀工艺对所述光刻胶掩膜图案底部的金属层进行腐蚀。